先进封装行业市场前景及投资研究报告：新技术前瞻，CoWoS.pdf

先进封装行业：CoWoS五问五答

——新技术前瞻专题系列（七）

2025年1月8日

摘要

Q1:CoWoS是什么？CoWoS严格来说属于2.5D先进封装技术，由CoW和oS组合而来：先将芯片通过ChiponWafer（CoW）的封装制程连接

至硅晶圆，再把CoW芯片与基板（Substrate）连接，整合成CoWoS。核心是将不同的芯片堆叠在同一片硅中介层实现多颗芯片互联。CoWoS自2011

年经台积电开发后，经历5次技术迭代；台积电将CoWoS封装技术分为三种类型——CoWoS-S、CoWoS-R、CoWoS-L,不同类型在技术特点和应用有

所区别。语言学习平台

Q2：CoWoS的优势与挑战？CoWoS的目前具有：高度集成、高速和高可靠性、高性价比等优势。但与此同时CoWoS面临：制造复杂性、集成

和良率挑战、电气挑战、散热的挑战。

Q3：产业市场现状？后摩尔时代，先进制程工艺演进逼近物理极限，先进封装（AP）成了延续芯片新能持续提升的道路之一。2025年中国先进封

装市场规模将超过1100亿元，年复合增长率达26.5%。CoWoS先进封装技术主要应用于AI算力芯片及HBM领域。英伟达是CoWoS主要需求大厂，在台

积电的CoWoS产能中，英伟达占整体供应量比重超过50%。目前，HBM需要CoWoS等2.5D先进封装技术来实现，HBM的产能将受制于CoWoS产能，

同时HBM需求激增进一步加剧了CoWoS封装的供不应求情况。

Q4：中国大陆主要有哪些企业参与？目前国内长电科技、通富微电、华天科技等企业参与。长电科技拥有高集成度的晶圆级WLP、2.5D/3D、系

统级（SiP）封装技术和高性能的FlipChip和引线互联封装技术；通富微电超大尺寸2D+封装技术及3维堆叠封装技术均获得验证通过；华天科技已掌握

了SiP、FC、TSV、Bumping、Fan-Out、WLP、3D等集成电路先进封装技术，持续推进FOPLP封装工艺开发和2.5D工艺验证。

Q5:CoWoS技术发展趋势？CoWoS-L有望成为下一阶段的主要封装类型。CoWoS-L结合了CoWoS-S和InFO技术的优点，使用中介层与LSI芯片

进行芯片间互连，并使用RDL层进行功率和信号传输，从而提供最灵活的集成。在电气性能方面，CoWoS平台引入第一代深沟槽电容器（eDTC）是用

于提升电气性能，通过连接所有LSI芯片的电容，CoWoS-L搭载多个LSI芯片，可以显著增加RI上的总eDTC电容。

投资建议：随着大算力时代的蓬勃兴起，先进封装是提升芯片性能的关键技术路径，AI加速发展驱动先进封装CoWoS需求旺盛，先进封装各产业

链将持续受益；受益标的：长电科技、通富微电、华天科技、艾森股份、天承科技、华大九天、广立微、概伦电子。

风险提示：下游需求放缓、技术导入不及预期、客户导入不及预期、贸易摩擦加剧。

Q1

CoWoS是什么？

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1.CoWoS是一种先进封装技术

CoWoS是一种先进的封装技术，能够将多个芯片堆叠在一起，然后封装在一个基板上，形成一个紧凑且高效的单元。

在芯片制造领域，前道、中道和后道指的是半导体生产过程中的三个主要阶段，具体如下：

前道（Front-EndManufacturing）：前道工艺主要涉及晶圆制造，这是在空白的硅片上完成电路加工的过程，包括光刻、刻蚀、薄膜生长、

离子注入、清洗、CMP（化学机械抛光）和量测等工艺步骤。这个阶段的目标是在硅片上形成晶体管和其他有源器件，以及多层互连结构。

中道（Middle-EndManufacturing）：中道是介于晶圆制造和封装测试之间的一个环节，有时也被称作“Bumping”。它通常指的是在晶

圆上形成的凸点（Bumps），这些凸点用于后续的封装过程，使得芯片能够与外部电路连接。中道制造随着高密度芯片需求的增长而变得

越来越重要，尤其是在倒装芯片（Flip-Chip）技术中。

后道（Back-EndManufacturing）：后道工艺主要涉及封装和测试。包括减薄、划片、装片、引线键合、模塑、电镀、切筋/成型和终测

等步