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第三章电力电子器件的原理与应用

在城市轨道交通车辆的电力牵引系统中，为了完成从直流到直流或直流到交流的电能变

换与控制，大量应用着各种电力电子器件。

1947年，第一只晶体管的研制成功，开创了半导体固态电子学；1957年，美国通用电

气公司发明了第一只晶闸管，从此电子技术朝两个分支发展．：一支是对信息处理的微电子

技术，其发展的特点是集成度越来越高，集成规模越来越大；另一支是对电能进行转换与控

制的电力电子技术，其发展的特点是晶闸管的派生器件越来越多：功率越来越大。近年来，

微电子技术与电力电子技术又在各自发展的基础上相结合，产生了一批工作频率高，具有门

极全控性能的功率集成器件，它们的品种越来越多，功率越来越大，性能越来越好，已经形

成了庞大的电力电子器件家族树“”（图3-1）。

根据器件内部载流子参与导

电的种数不同，电力半导体器

件分为三大类。只有一种载流

子，即只有多数载流子参与导

电的电力半导体器件称单极

型器件，如电力场控晶体管

（电力MOSFET）、静电感应

晶体管(SIT)等。有空穴和电子

两种载流子参与导电的电力

半导体器件称双极型器件，如

GTO、GTR、SITH等。第三

种是单极型器件与双极型器

件的复合集成器件，如绝缘栅

双极晶体管（IGBT或简称

IGT）是用单极型的MOSFET

作为控制元件、以双极型的

GTR作为主导元件的复合管。

不同类型的电力电子器件具有不同的性能，双极型器件如SCR、GTO、GTR、SITH

等，它们的通态压降较低，阻断电压高，电流容量大，适用于中大容量的变流设备。其电压

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和电流的定额都高达10级。在双极型器件中除静电感应晶闸管(SITH)为电压控制型器件

外，其余的SCR及其家族和GTR等均为电流控制型器件，其控制性能不如单极型器件，

功耗也比较大。

单极型器件的主要优点是：仅有多数载流子导电，无少数载流子存储效应，因而开关时间短，

一般为纳秒数量级(典型值为20ns)；例如电压1000V，电流200A的电力MOSFET，开关

时间仅13ns。输入阻抗很高，通常大于40MΩ，故又称电压控制型器件；电流具有负的温

度系数，温度上升时电流下降，因而器件有良好的电流自动调节能力，不易产生局部热点，

所以二次击穿的可能性极小，这一点与双极型器件根本不同。其不足之处是导通压降高、电

压和电流定额都较双极型器件小。

复合型器件既有如GTR、SCR等双极型器件的电流密度高、导通压降低等优点，又有

MOSFET等单极型器件输入阻抗高、响应速度快的优点。因此越来越引起高度重视。目前

已开发的器件有：肖特基注入MOS门极晶体管（SINFET）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）、

MOS控制晶体管(MGT)、MOS控制晶闸管(MCT或MCTH)以及功率集成电路（PIC）和智

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能型功率集成电路(SPIC)、智能型功率模块(IPM)等。

现代电力电子技术在器件、电路及其控制技术方面有如下特点：

(1)集成度高

几乎所有全控型器件都由许多相同功能的单元胞管并联集成。例如一个l000A的GTO元件，

其内部是由近千个单元GTO胞管并联集成；一个40A的电力MOSFET由上万个单元并联

集成。