压电振子的振动模式.pptVIP

薄长片压电振子的等效电路01equivalentcircuit02器件设计03Fordevicedesign04当外加电场的频率很低时，压电振子的等效导纳为：可见频率很低时，压电振子在电路中只起着一个电容为Clow的电容器的作用，它的阻抗为Z=1/(jClow?)，在此情况下的压电振子的等效电路是如图5-3所示纯电容电路。图5-3频率很低时压电振子的等效电路最后得到通过压电振子电极面的电流为:所以有:薄长片压电振子的等效导纳若通过薄长片压电振子的电流为I3，两电极之间电压为V3，则压电振子等效阻抗Z为，01压电振子的等效导纳G为:02两电极面之间的电压V3为:压电振子的等效导纳为：牛顿定律压电方程波动方程边界条件质点位移电位移电流，导纳材料参数，等效电路结果分析01.以上就是如何通过压电方程和波动方程求得压电振子的等效导纳方法。02.下面进一步分析在不同频率时压电振子导纳的性质。频率很低时，薄长片压电振子的等效导纳式中电容：可见低频时压电振子等效为一个电容性元件，或者说在低频时，压电振子在电路中只起一个电容器的作用，它的电容数值由（5-21）式确定。实验上就是通过在很低频率下，测量压电振子的电容Clow（称为低频电容）来确定自由介电常数?T33。应该注意，这里所说的“频率很低”是指外加交变电场的频率f（或?）远小于压电振子的谐振频率fr（或?r）的情况，即ffr，或??r。例如，通常测量压电陶瓷的Clow时所用的频率f=1000Hz，若陶瓷片长l=2厘米，纵波速c?4?105（厘米/秒），则有可见用频率f=1000Hz测量2厘米长的压电陶瓷片的低频电容Clow，完全满足“频率很低”的要求。01其次，为什么低频条件下，通过低频电容Clow确定的是自由介电常数?T33，而不是夹持介电常数?S33？02因为自由介电常数?T33是在应力T1=常数（或T1=0）的条件下测得的介电常数；夹持介电常数?S33是在应变S1=常数（或S1=0）的条件下测得的介电常数。而低频时的应力T1与应变S1为可见，低频时应力T1=0，而应变S1?常数，所以在低频条件下，通过测量低频电容Clow所确定的介电常数为自由介电常数?T33。而阻抗等于零，Z|?r=1/G|?r=0，响应的电流I3|?r=?。可见，当外加交变电场的频率等于薄长片压电振子的谐振频率fr时，阻抗为零时，而通过的电流最大。谐振频率fr为：实验上，可以通过谐振频率的测量，即阻抗最小，电流最大时的频率来确定弹性柔顺常数sE11（当然还要测量压电振子的密度），即(5-23)在反谐振频率时的情况

anti-resonant21当外加交变电场的频率f稍高于谐振频率fr时，设为：tan(kl/2)=tan(?l/2c)=tan((?+?)/2)并有?0，于是：因为?0，所以(?+?)/2在第二象限，这时tan((?+?)/2)0，并随频率的增加在（-??0）范围内变化，因此一定存在某一个频率fa或?a，即k=ka=?a/c时，使得:即当k=ka时，薄长片压电振子的等效导纳为零，等效阻抗为无限大；通过压电振子的电流等于零。导纳：阻抗：电流：可见，当外加交变电场E3的频率f=fa或?=?a时，压电振子的等效阻抗为无限大（实际上为最大值），通过的电流为最小（即等于零）。这也是一种谐振现象，相应的频率fa称为反谐振频率。实验上，常通过测量谐振频率与反谐振频率来确定机电耦合系数。欲得到的k31与fr和fa的关系式，要从（5-24）式出发，将（5-24）式改写为（5-25）再将以及代入（5-25）式得（5-26）因为反谐振频率稍大于谐振频率，故可将反谐振频率fa写成又：将这些关系代入到（5-26）式得：再代入上式，并加整理后，即得机电耦合系数k31与谐振频率fr与反谐振频率fa的关系式：因为?f/fr很小，可以将展成为幂级数：可见实验上，只要测出压电振子的谐振频率fr和反谐振频率fa，代入（5-28）式，即可确定机电耦合系数k31。再结合通过低频电容C0确定的自由介电常数?T33=ltC0/llw，即可确定压电常数d31和夹持介电常数（5-30）总之，通过薄长片压电振子的谐振频率fr、反谐振频率fa以及低频电容Clow和密度，即可确定压电晶体（或压电陶瓷）的弹性柔顺常数sE11、压电常数d31、自由介电常数?T33、夹住介电常数?S33和机电耦合系数k31等物理量。压电振子的振动模式vibrationmodes薄长条纵向伸缩振动薄圆片、棒、薄圆环、薄球壳、面切变、弯曲振动，厚度振动，能陷振动模，机电类比和线性机电网络，