2025年封装发展史.pdfVIP

海纳百川，有容乃大；壁立千仞，无欲则刚。——林则徐

延迟成为制约集成电路性能进一步提高的关键性

因素。转向低k铜工艺技术是业界给出的解决方案。双大马士革工艺取代了传统的铝减”

工艺，成为低k铜互连材料的标准制造工艺。

k绝缘材料必须具备一系列

期望的材料特性，对低k材料研发本身的挑战在于：在获得所需要的低介电常数的同时，

低k材料还必须满足良好的热和机械特性。但目前并没有完全符合这些期望特性的低k材

料被制造出来，因而给半导体制造工艺带来了挑战。

由于低k材料本身的材料特性（与金属层较弱的粘结力，较弱的机械强度），在晶片

的切割时在芯片的边缘会出现严重的金属层与ILD层的分层或剥离；在焊线过程中会出现

断焊，弱焊或金属层与ILD层的剥离。金铝两种材料的焊接在可靠性测试中出现比非低k

材料焊线严重的金属间化合物的分层，导致集成电路电性失效。上述这些可制造性及可靠

性的问题构成了对半导体封装工艺的挑战。

1半导体集成电路的发展趋势

高速度，低成本和高可靠性代表了终端用户对半导体集成电路发展／改进的期望。而

支持半导体集成电路不断改进的原动力是芯片关键尺寸的不断缩小。半导体集成电路制造

产业已经成为电子制造业的基础和核心，支持并推动着相关产业的繁荣与发展。半导体工

业协会（SIASemiconductorIndustryAssociation）在2007年2月2日的世界半导体集成

电路销售调查报告中提到全“球半导体集成电路的销售额在2006年又创新高，达到2477

亿美元，比2005年的2275亿美元的销售额提高了8.9%。2006年是消费类半导体年，半

导体集成电路销售额的增长主要来自流行的消费类产品，如手机，MP3播放器及高清电视

和到现在的2010年更是随着3D时代的到来，给人们带来精彩的数字视听感受等。而这些

电子产品销售额的增长应归功于半导体集成电路设计／制造技术的进步以及随之而来的功

能更丰富，成本更低廉的半导体集成电路的问世。

国际半导体技术发展路线图（ITRSInternationalTechnologyRoadmapfor

Semiconductor）是由SIA出版的预测全球半导体集成电路技术发展的权威性报告[1]。

ITRS报告每两年更新一次，图1是ITRS2005年版报告中关于DRAM和MPU技术节点

(TechnologyNode)的发展趋势的预测。从图中可以看出，DRAM线间距（HalfPitch）从

2001年以后，每3年改变一个技术节点，每两个技术节点，线间距降低50%。而在2001

年以前，这个技术指标每两年就改变一个技术节点。MPU/ASIC的1/2线间距一直到

2004年还维持着每隔2年改变一个技术节点的能力，但在2004年以后，MPU/ASIC进

步的节奏也慢了下来，变为每3年改变一个技术节点，与DRAM的发展趋势同步。

丹青不知老将至，贫贱于我如浮云。——杜甫

1半导体集成电路技术节点发展路线图

表1列出了对光刻技术的需求的时间路线图，从表中也可以看出，MPU的物理栅极长

度（PhGL）自2005年以后也从每２年一个变化周期改为每３年一个变化周期，与