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硒化铟与六方氮化硼薄膜：从可控制备到异质集成的材料学突破

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料科学领域不断发展的当下，新型材料的探索与研究始终是推动科技进步的关键力量。其中，二维材料凭借其独特的原子结构和优异的物理性质，成为了学术界和产业界共同关注的焦点。硒化铟（InSe）和六方氮化硼（h-BN）薄膜作为二维材料中的重要成员，各自展现出了卓越的性能，为未来电子器件的发展带来了新的机遇。

硒化铟作为一种典型的二维层状Ⅲ-VI族半导体材料，拥有诸多令人瞩目的特性。其具有优异的电学性能，载流子迁移率可高达～104cm2V?1s?1，这使得电子在其中能够快速移动，为实现高速电子器