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34-
含锗物质制备工业流程题
填空题(共14小题)
锗是第四周期第IV?A族元素,锗是重要的半导体材料,用于制造晶体管及各种电子装置。下图为以锗锌矿(含GeO2、ZnS及少量Fe
已知:GeO2可溶于强碱溶液,生成锗酸盐。GeCl4的熔点为
回答下列问题:
(1)步骤①中提高碱浸效率的措施有________(写一种),NaOH溶液碱浸时发生反应的离子方程式为________。
(2)操作a的名称是________,GeCl4的电子式为
(3)滤渣1中除含有ZnS外,还含有少量________。滤渣2中除含有CaGeO3外,还含有少量
(4)步骤⑤中加入浓盐酸,发生反应的化学方程式为________。不用稀盐酸的缘由是________。
(5)写出一种证明步骤⑧反应完全的操作方法:________。
今年为门捷列夫发觉元素周期律150周年。门捷列夫预言了许多未知元素,锗是其中一种,工业上用精硫锗矿(主要成分为GeS2)制取高纯度锗,其工艺流程如图所示:
(1)起先将精硫锗矿粉碎的目的是______。工艺流程中COCl2分子中各原子均达到8电子稳定结构,其结构式为______。
(2)酸浸时温度不能过高的缘由是______(用化学方程式表示)。
(3)GeCl4易水解生成GeO2?nH2O,此过程化学方程式为______。温度对GeCl4水解率的影响如下图所示,为提高水解率,试验时可实行的措施为______(填序号)。
A.冰水溶
B.冰盐水浴
C.49℃水浴
(4)GeO2是锗酸(H2GeO3)的酸酐。请通过计算推断25℃时0.1mol?L-1的NaHGe
锗是一种重要的半导体材料。工业上用精硫锗矿(主要成分为GeS2,杂质不反应)制取Ge,其工艺流程如图所示:
回答下列问题:
(1)起先将精硫锗矿粉碎的目的是______。
(2)高温焙烧精硫锗矿的化学方程式为______。
(3)热还原真空挥发炉内反应的化学方程式为______。
(4)在沉锗过程中,当温度为90℃,pH为14时,加料量(CaCl2/Ge质量比)对沉锗的影响如表所示,选择最佳加料量为______(填“10-15”“15-20”或“20-25”)
编号
加料量(CaC
母液体积
(mL)
过滤后液含锗(mg/L)
过滤后液
pH
锗沉淀率(%)
1
10
500
76
8
93.67
2
15
500
20
8
98.15
3
20
500
2
11
99.78
4
25
500
1.5
12
99.85
(5)某温度时,沉锗得到的CaGeO3在水中的沉淀溶解平衡曲线如图所示。下列说法错误的是______。
a.n点与p点对应的Ksp相等
b.通过蒸发可以使溶液由q点变到p点
c.q点无CaGeO3沉淀生成
d.加入Na2GeO3可以使溶液由n点变到m点
(6)CaGeO3与强酸反应可得到H2GeO3.0.1mol?L-1的NaHGeO3溶液pH______(填“”“=
锗属于稀有分散元素,一种以锗精矿(含GeO2、GeO、SiO
下列数据是对应物质的熔点:
物质
Ge
GeO
Si
A
熔点/℃
1115
710(升华)
1723
193(升华)
(1)第32号元素锗的原子结构示意图________,依据锗在元素周期表中的位置写出单质锗的一种用途________。
(2)“焙烧”前,粉碎锗精矿的目的是________。矿渣1的主要成分是________。
(3)“还原焙烧”中,含Ge氧化物在不同气氛中的挥发状况如图。800~1100?℃之间,含Ge氧化物在CO中的挥发率明显高于空气中的缘由是________。
(4)“碱浸氧化”后,GeO转化为锗酸盐,请写出反应的离子方程式________。
(5)“精馏水解”发生反应的化学方程式________。
(6)在氯化物熔盐中,电解SiO2和
SiO2
生成硅锗合金的电极为________(填“阳极”或“阴极”),写诞生成O2的电极反应式________
稀散金属铟、锗元素在高科技领域里起着非常重要的作用,被称为发展高科技的支撑材料。一种从冶锌废渣中综合回收铟、锗的新工艺流程如下:
回答下列问题:
(1)32Ge
(2)为了提高酸浸时的速率可实行的措施:________(写两条)。
(3)若在试验室进行操作1,则用到的玻璃仪器有________。
(4)用30%?P204磺化煤油从酸浸液中萃取铟时,铟的萃取率随溶液的酸度及萃取时间的改变如图所示:
则萃取时选取的相宜条件是________。
(5)在络合沉锗时,锗的回收率随温度的改变如图所示:
试说明温度高于40℃后,锗的回收率下降的可能缘由为________。
(6)若络合沉锗的离子方程式表示为Ge4++2R2-=Ge(R)2,则
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