宏盛微半导体AP120N03NF.pdf

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AP120N03NF

30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP120N03NFusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotectionor

inotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=30VI=120A

DSD

RDS(ON)2.0mΩ@VGS=10V（Type：1.5mΩ）

Application

Lithiumbatteryprotection

Wirelessimpact

Mobilephonefastcharging

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP120N03NFPDFN5*6-8LAP120N03NFXXXYYYY5000

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage30V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V1,6120A

I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V1,666A

IDMPulsedDrainCurrent2320A

EASSinglePulseAvalancheEnergy3780mJ

IASAv

该用户很懒，什么也没介绍

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