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第三节变压器与电动机图3.10三相电流产生的旋转磁场（p=2）第三节变压器与电动机4．旋转磁场的转速(同步转速n0)

旋转磁场的转速决定于磁极数。在一对磁极的情况下，当电流从到时，磁极也旋转了60°，设电源的频率为f，即电流每秒钟交变f次或每分钟交变了60f次,则旋转磁场的转速为n0＝60f,转速的单位为转/分（r/min）；在两对磁极的情况下，当电流从到经历了60°时，而磁场在空间仅旋转了30°，当电流交变一周时，磁场转过半周，比p=1的情况转速慢了一半，即n0=60f/2，同理，在三对磁极的情况下,n0=60f/3。由此可知，当旋转磁场有p对磁极时，其旋转磁场的转速为n0=60f/p(3.1)在我国，工频f=50Hz，由式（3.1）可得出对应于不同极对数p的旋转磁场转速n0：p123456n0(r/min)300015001000750600500电工基础与系统组成基础知识第一章第一节直流电源第二节交流电源第三节变压器与电动机第四节半导体元件及其应用第五节集成运算放大器第六节直流稳压电源第四节半导体元件及其应用第四节半导体元件及其应用4.1二极管二极管的基本结构将PN结加上相应的封装并引出两根电极就构成了二极管。常用的封装有金属封装、塑料封装和玻璃封装等。从P区引出的线称为阳极，用“+”表示；从N区引出的线称阴极，用“-”表示。如图4.1所示。图4.1二极管第四节半导体元件及其应用二极管的伏安特性二极管的伏安特性就是加在二极管两端的电压与流过二极管电流之间的关系，即I=f(u)。如图4.2所示为硅二极管和锗二极管的实际伏安特性曲线，由图可见，二极管的伏安特性是非线性的，说明二极管是非线性元件。1．正向特性2图4.2二极管的伏安特性3．反向特性4．反向击穿特性5在图4.2中曲线①的部分为正向特性，由图可见，在外加正向电压较小时，由于外电场较弱，还不足以克服PN结内电场对多数载流子扩散运动的阻挡作用。所以，此时正向电流很小，几乎为零，二极管呈现出很大的电阻。电流几乎为零的范围称为死区电压，用UT来表示。一般硅二极管的死区电压为0.7V，锗二极管的死区电压为O.3V。当正向电压超过死区电压后，PN结内电场被大大削弱，电流急剧增加，二极管处于正向导通状态，此时二极管的电阻很小，其电压降也很小，一般约为死区电压。123第四节半导体元件及其应用1．正向特性第四节半导体元件及其应用．反向特性图中曲线②的部分为反向特性。二极管加反向电压时，由少数载流子漂移而形成的反向电流很小，且在一定电压范围内基本不随反向电压而变化，所以这个电流称反向电流。反向电流只随着温度升高而增加，一般硅二极管的反向电流约为1微安至几十微安，锗二极管的反向电流可达几十到几百微安。由二极管的正向特性及反向特性可以看出其单向导电性。图中曲线③的部分为反向击穿特性。当外加反向电压达到一定值时，反向电流将突然增大，二极管失去单向导电性，这种现象称为击穿，此时的电压称为反向击穿电压，用UBR来表示。二极管被击穿后一般不能恢复原来的特性，便失效了。1击穿发生在空间电荷区，发生的原因一种是当反向电压高到一定数值时，因外电压过强，而把共价键中的价电子强行拉出，造成很大的反向电流；另一种是强电场引起自由电子加速后与原子碰撞，将价电子轰击出共价键而产生新的电子空穴对，使少数载流子的数量增加，形成很大的反向电流。2第四节半导体元件及其应用3．反向击穿特性第四节半导体元件及其应用4.2三极管三极管的基本结构半导体三极管又称晶体管，是最重要的电子器件，它具有电流放大作用和开关的作用。三极管的结构主要有平面型和合金型两大类，如图4.3所示。硅管主要是平面型，锗管都是合金型，它是通过一定的工艺在一块半导体基片上制成两个PN结，再引出3个电极，然后用管壳封装而成。图4.3三极管的结构及外形第四节半导体元件及其应用不论平面型或合金型，都分为NPN型或PNP型两类，其结构示意图和表示符号如图4.4所示。图4.4三极管的结构示意图第四节半导体元件及其应用三极管的特性曲线三极管的特性曲线是用来表示该三极管各