宏盛微半导体AP400N08T.pdf

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AP400N08TIT2

80VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP400N08T/T2usesadvancedSGTIItechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas10V.

ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=80VI400A

DSD

RDS(ON)1.8mΩVGS=10V（Type：1.5mΩ）

Application

Batteryprotection

Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP400N08TTO-263-3LAP400N08TXXXYYYY2000

AP400N08T2TO-262-3LAP400N08P2XXXYYYY1000

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage80V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V400A

I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V253A

IDMPulsedDrainCurrent1600A

EASSinglePulseAvalancheEnergy2258

该用户很懒，什么也没介绍

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