载流子浓度和电导率.pptVIP

杂质带导电：01杂质能带中的电子通过在杂质原子之间的02共有化运动参加导电的现象。03禁带变窄效应：04重掺杂时，杂质能带进入导带或价带，形05成新的简并能带，简并能带的尾部深入到禁带06中，称为带尾，从而导致禁带宽度变窄。07导带01.Eg01.施主能级01.价带01.施主能带01.本征导带01.简并导带01.能带边沿尾部01.Eg01.E′g01.价带01.简并：01.禁带变窄01.ED→0，Eg→Eg＇施主能级分裂成能带；导带=本征导带+杂质能带在EC附近，gC(E)明显增加01杂质上的电子直接参与导电02电子占据量子态的几率：第三章小结费米分布函数能量状态密度：导带：gC(E)∝E1/2价带：gV(E)∝-E1/2浓度积：价带空穴浓度：导带电子浓度：010203载流子浓度：本征半导体：杂质半导体(杂质原子全部电离)：载流子的漂移运动和迁移率迁移率和电导率随温度和杂质浓度的变化半导体中的导电性第三章载流子输运外加电压时，半导体内部的载流子受到电场力的作用，作定向运动形成电流。4.1载流子的漂移运动和迁移率漂移运动：载流子在电场力作用下的运动。漂移速度：载流子定向漂移运动的速度。漂移运动和漂移速度E外电场作用下电子的漂移运动金属：1—电子2半导体：3—电子、空穴4微分形式5电流密度J（A/m2):通过垂直于电流方向的单位面积的电流。6为电场强度7电流I(A):单位时间内通过垂直于电流方向的某一面积的电量。8二、欧姆定律电导率?的表达式01010203设：Vdn和Vdp分别为电子和空穴的平均漂移速度。以柱形n型半导体为例，分析半导体的电导现象0203ds表示A处与电流垂直的小面积元，小柱体的高为Vdndt在dt时间内通过ds的截面电荷量，就是A、B面间小柱体内的电子电荷量，即AVdndtBdsVdn01本征载流子浓度及影响因素02本征载流子浓度ni影响ni的因素高温时，在lnni～1/T坐标下，近似为一直线。T↑，lnT↑，1/T↓，ni↑mdn、mdp、Eg——材料T的影响01.杂质半导体载流子浓度积与ni关系02.强调：不仅适用于本征半导体材料，也适用于非简并的杂质半导体材料。n型半导体∴no=ND∵施主全部电离应用在常温下，已知施主浓度ND，并且全部电离，求导带电子浓度no和价带空穴浓度po在常温下，已知受主浓度NA，并且全部电离，求导带电子浓度no和价带空穴浓度po01∵受主全部电离02∴po=NA03P型半导体Si：原子密度1023/cm3，室温时，ni=1010/cm3本征激发是载流子的主要来源本征载流子/总原子=1010/1023=10-13＞杂质原子/总原子要求Si的纯度必须高于99.9999999999999%！（杂质原子/总原子＜＜本征载流子/总原子）纯度达不到本征半导体在应用上的限制本征载流子浓度随温度变化很大本征半导体的电导率不能控制在室温附近：Si:T↑，8Kni↑一倍Ge:T↑，12Kni↑一倍01杂质半导体载流子浓度和费米能级02带电粒子有：03电子、空穴、电离的施主和电离的受主04电中性条件（平衡条件下）：05p-n-NA－+ND+=006假设参杂原子全部电离，上式变为：07p-n-NA+ND=0由np乘积关系可得解得讨论：01本征半导体掺杂半导体（ND-NAni或NA-NDni）01掺杂半导体（ND-NAni或ND-NAni）补偿半导体ND和NA是可比的但是不相等，这种材料称为补偿半导体。0102杂质半导体费米能级的确定n型Si中电子浓度n

与温度T的关系：杂质离化区过渡区本征激发区niND0niTn型硅中电子浓度与温度关系n20040060001计算掺杂半导体的载流子浓度时，需首先考虑属于何种温区。02一般：T：300K左右，且掺杂浓度＞＞ni03属于饱和电离区04注意：05N型：n=ND—NA06或n=ND07P型：p=NA—ND08或p=NA010203解：NA＞ND，材料为P型材料处于饱和电离区例.已知：或：例.已知：Si