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《真空表面处理工艺用离子源》征求意见稿.pdf

《真空表面处理工艺用离子源》征求意见稿.pdf

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ICS23.160

CCSJ78T/GVS

团体标准

T/GVSXXX—2021

真空表面处理工艺用离子源

Ionsourceforvacuumsurfacetreatmentprocess

(征求意见稿)

2021—XX—XX发布2021—XX—XX实施

广东省真空学会发布

T/GVSXXX—2021

真空表面处理工艺用离子源

1范围

本文件规定了真空表面处理工艺用离子源的术语和定义、分类、使用条件、技术要求、试验方法、

检验规则、标志、包装、运输和贮存。

本文件适用于在真空环境下用于表面处理工艺的离子源(以下简称“离子源”)。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,

仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本

文件。

GB/T191包装储运图示标志

GB/T3047.8高度进制为44.45mm的窄柜基本尺寸系列

GB/T3163—2007真空技术术语

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

离子源ionsource

包括离子产生装置和电子产生装置,即:使中性原子或分子电离,从中引出离子束流,并可以进行

电荷中和的装置。

3.2

离子源本体ionsourcebody

产生离子并且形成离子束流的装置。

3.3

中和器neutralizer

持续发射电子、中和离子电荷的装置。

3.4

工作气体workinggas

待提供电子或者转变为离子体状态的气体。

3.5

驱动控制系统drivingandcontrolsystem

控制阳极电源、中和器电源、工作气体流量,实现人机交互功能的装置。

3.6

维护间隔时间meantimebetweenmaintenance

离子源两次维护间隔最短的时间。

1

T/GVSXXX—2021

3.7

工作真空度operatingvacuum

离子源正常工作状态下的真空度。

4分类

4.1离子源结构

4.1.1按离子源有无结构,可分为:栅网型、无栅网型。

4.1.2按栅网的作用,可分为:汇聚型、准直型、发散型、超大发散型。

4.2离子源本体形状

按离子源本体形状可分为圆形离子源、条形离子源。

4.3维护间隔时间

按维护间隔时间可分为:

a)短续航离子源,指维护间隔时间<10h;

b)长续航离子源,指维护间隔时间为10h~100h;

c)超长续航离子源,指维护间隔时间>100h。

4.4工作真空度

按工作真空度可分为:超高真空型离子源、高真空型离子源、中真空型离子源、低真空型离子源。

真空度范围划分按GB/T3163—2007中2.4规定。

4.5制冷方式

按制冷方式可分为:水冷型离子源、非水冷型离子源。

4.6工作气体类型

按工作气体类型可分为:无工作气体离子源、惰性工作气体离子源、非惰性工作气体离子源。

4.7综合性能指标

按综合性能指标,可分为:

a)高能离子源,指维护间隔时间>100h,能量>1000eV,束流>1000mA;

b)中能离子源,指维护间隔时间为10h~100h,能量为500eV~1000eV,束流为500mA~1000

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