横向有机功率场效应晶体管反向耐压性能及热可靠性研究.pdf

摘要

功率半导体器件是一种作为电能转换与控制的电力电子元件，广泛应用于各种高压、高

温环境下。随着半导体行业的飞速发展，人们对功率半导体器件的要求也不断更新。除了满

足大电压、大电流的工作环境以外，还需要具有可柔性，低成本，大面积成膜、环境友好等

特点来满足其他场景下的应用需求。然而传统的无机半导体材料由于其制备工艺复杂，成本

高，不透明等缺点，逐渐无法满足需要。而有机半导体材料（Organicsemiconductors，OSCs）

得益于易加工、可柔、透明等固有的优点，其已经在太阳能电池、激光器、传感器、可穿戴

设备等领域得到广泛应用。尽管如此，在功率领域，受限于有机物的热稳定性和电学稳定性，

缺少可靠的有机功率场效应晶体管，因此基于有机功率集成电路还未有实际的应用。在高温

高压的环境下，有机物易发生变性，从而使得晶体管产生无法逆转的损坏。因此通过结构设

计，提高有机晶体管的耐压能力以及热稳定性，是制备有机功率器件的关键。

本文瞄准了共聚物有机场效应晶体管（Organicfield-effecttransistor，OFET），针对高温

高压制约有机晶体管的稳定性这一问题，以晶体管的结构优化为核心，致力于构建一种新的

OFET器件结构，分析其耐压机理，并进行热可靠性测试。研究内容包括：

第一，提出了具有横向漂移区的有机场效应晶体管（Lateraldriftregionorganicfield-effect

transistor，LDR-OFET）的器件结构。创新地在栅极与漏极之间加入了一段横向漂移区。该漂

移区结构的加入可以显著提高晶体管在关断状态下的反向耐压能力，耐压性能提高了10倍。

第二，研究了LDR-OFET器件的类雪崩击穿特性。通过将晶体管建模，构建背靠背的肖

特基结器件，通过可重复的击穿行为证明晶体管的电学击穿机制非热电击穿。再通过不同环

境温度下晶体管的击穿电压具有正温度系数的测试结果，从而证明了晶体管的击穿机制非齐

纳击穿，因此晶体管的击穿机制为类雪崩击穿。

第三，探索了LDR-OFET在环境温度与自热效应下反向耐压性能的可靠性。本文通过在

不同环境温度下测得晶体管的输出特性、转移特性与击穿电压，证明了共聚物有机功率场效

应晶体管在300K-450K的环境温度范围内都可以正常工作。除此以外，通过对同一个晶体管

进行循环击穿测试，证明共聚物有机场效应晶体管具有良好的自热稳定性。

关键词:有机功率晶体管，场效应晶体管，横向功率器件，击穿电压，共轭聚合物

Abstract

Powersemiconductordeviceisakindofpowerelectroniccomponentusedaspower

conversionandcontrol.Itiswidelyusedinvarioushighvoltageandhightemperatureenvironment.

Withtherapiddevelopmentofsemiconductorindustry,peoplesrequirementsforpower

semiconductordevicesareconstantlyupdated.Inadditiontomeetingthehighvoltageandhigh

currentworkingenvironment,italsoneedstobeflexible,lowcost,largeareafilmforming,

environmentalfriendlyandothercharacteristicstomeettheapplicationrequirementsinother

scenarios.However,thetraditionalinorganicsemiconductormaterialscannotmeettheneeds

graduallybecauseoftheshort