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基于纳米模型的CNTFET器件：机理剖析与模型构建研究

一、引言

1.1研究背景与意义

自集成电路发明以来，基于硅基的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术遵循摩尔定律，持续缩小器件尺寸，以提升集成度和性能。摩尔定律由英特尔公司创始人之一的戈登?摩尔（GordonMoore）于1965年首次提出，他认为集成电路上可容纳的晶体管数量每隔十八至二十四个月可翻一番，而成本则相应减半。在很长时间内，芯片产业的实际发展情况和该定律基本相符，为计算机硬件发展提供了坚实的产业基础，对整个科技产业产生了重大、深远和积极的影响。

然而，当集成电路制造工艺进入到后45nm时代，基于体硅工艺