氧碳含量的控制.ppt

熔体内的氧浓度等于石英增祸溶解速度和Si0挥发速度的差值，假设氧在各界面内的扩散是溶解和挥发速度的决定因素氧在直拉晶棒的浓度可表示为:其中Ac为石英增祸与硅熔液界面面积，Am为硅熔液与外围气氛界面面积，Cm为氧在熔液中的浓度，Cc为氧在石英柑锅表面的浓度，Ca为氧在外围气氛的浓度，为石英增锅与硅熔液的扩散边界层厚度，为硅熔液与外围气氛的扩散边界层厚度。在上式等号右侧的第一项为氧从石英柑祸到硅熔体内部的质量传输率第二项为氧从硅熔液到外围气氛到排气口的质量传输率。第23页，共34页，星期日，2025年，2月5日(l)降低Ac/Am比值，例如:采取较大尺寸的石英增锅。(2)降低Cc值，例如:采用低柑祸转速或运用磁场。(3)增加扩散边界面层厚度，例如:采用低增锅转速或运用磁场(4)增加Si0挥发速度，例如:采用高氩气流量或低炉内压力。第24页，共34页，星期日，2025年，2月5日关于氧碳含量的控制第1页，共34页，星期日，2025年，2月5日引言单晶硅片是用于太阳能电池的优良半导体材料，太阳能电池的转化效率与硅片中的杂质有很大关系，从多晶硅原料到单晶硅锭再到单晶硅片，最后再从单晶硅片经过一系列加工最终被制成太阳能电池，其杂质的含量也发生了一系列变化。在了解单晶硅生产工艺和原理的基础上，分别确定单晶硅中氧、碳杂质在轴向和径向的分布规律，进一步分析其分布规律产生的原因及各项影响因素，接下来通过改善氧、碳分布均匀性及控制其含量的目的。第2页，共34页，星期日，2025年，2月5日单晶硅生长工艺单晶的生长方法有很多种，但在生产上应用的只有两种，即悬浮区熔法(Fz)和直拉法(cz)，其中直拉法包含磁场直拉法，磁场直拉法的特别之处是磁场作为一个单晶生长的特别参数。1.区熔法(FZ)区熔法不需要石英柑祸，高温的硅并没有和任何其它物质接触，因而很容易保持高纯度。这种方法可以得到特别低的氧含量，但是它不太容易生长出较大直径的硅单晶。2.直拉法(ez)直拉法是CL电路用硅片最常用的方法。熔硅放在石英增锅里面，因为石英坩埚导致氧进入熔硅，因而有高的氧含量。第3页，共34页，星期日，2025年，2月5日直拉法的创始人是“恰克拉斯基”(J.czochralski)，所以说该法又称恰克拉斯基法。该法简单的描述为:原料装在一个增祸中，柑祸上方有一可旋转和升降的籽晶杆，杆的下端有一夹头，其上捆上一根籽晶。原料被加热器熔化后，将籽晶插入熔体之中，控制合适的温度，边转动边提拉，即可获得所需单晶。第4页，共34页，星期日，2025年，2月5日直拉法硅单晶生长的优点:1、可以方便地观察晶体生长过程。2、晶体在熔体和自由表面处生长，而不与坩埚接触，可以减少热应力。3、可以方便地使用定向籽晶和籽晶细颈工艺以减小晶体中的缺陷。得到所需取间的晶体。4、较快的生长速度和较短的生长周期。第5页，共34页，星期日，2025年，2月5日氧元素对生产中的影响氧在硅电子器件的制造中,既有害亦有利。原生硅晶体中的氧是形成诸如氧化堆垛层错和热施主的主要起因。在器件激活区中的氧沉淀可引起结的击穿或产生漏电流。在退火过程中,氧沉淀的产生使器件的成品率下降。高氧浓度导致电阻率的热稳定性差,结果使得由这些材料制成的器件的阻塞电压低。利用特定的热处理条件,在器件的激活区外生成SiO2沉淀和相关的诱生缺陷,它们可用于对有害的金属杂质的吸除,使激活区成为“洁净区”,以提高器件性能,这就是本征吸杂过程。因此对每一种器件加工过程而言,硅单晶都必须有一个合适的氧浓度范围。在CZ法生长中,氧不可避免地掺入硅单晶。其途径是氧从石英(SiO2)坩埚溶解进入硅熔体,溶解的氧经由熔体的对流和扩散传输到晶体2熔体界面或自由表面。熔体中的大多数氧在熔体自由表面蒸发,而余下的氧通过晶体2熔体界面的分凝而掺入晶体内。由于氧在熔体中的扩散系数相当小,所以通过熔体对流来传输氧是主要的。第6页，共34页，星期日，2025年，2月5日直拉单晶硅中氧的基本性质氧原子进入硅晶格里，主要是位于间隙位置，它们的位置处于si一si键中间偏离轴向方向，在临近的两个硅原子中间，沿着四个等位的111键方向。间隙氧本身在硅中是电中性杂质，尽管它的浓度要比硅中掺杂剂的浓度大三四个数量级，但它并不影响硅的电学性质。第7页，共34页，星期日，2025年，2月5日第8页，共34页，星期日，2025年，2月5日在液态硅中，氧的浓度受到下列因素影响:(l)热对流;(2)熔硅和石英增锅的接触面积;(3)机械强度对流;由石英坩埚壁产生的氧原子，受到自然对流的搅拌作用，而均匀分布于硅液中。