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成都时代立夫科技有限公司半导体及精密抛光材料生产项目竣工环境保护验收监测报告

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1前言

20世纪70年代，多层金属化技术被引入到集成电路制造工艺中，此技术使芯片的垂直空间得到有效的利用，并提高了器件的集成度。但这项技术使得硅片表面不平整度加剧，由此引发的一系列问题（如引起光刻胶厚度不均进而导致光刻受限），严重影响了大规模集成电路（LSI）的发展。针对这一问题，业界先后开发了多种平面化技术，但效果并不理想。80年代末，IBM公司将化学机械抛光（也称化学机械研磨，简称CMP）技术进行了发展使之应用于硅片的平面化，其在表面平面化上的效果较传统的平面化技术有了极大的改善，从而使之成为目前应用最广泛的平面化技术。成都时代立夫科技有限公司是一家专门从事化学机械抛光工艺研究开发的高科技企业。基于长期的研发试验及国际国内市场对化学机械抛光产品的需求，该公司投资3500万元，租赁成都西航港建设投资有限公司位于双流县西南航空港经济开发区内的标准厂房，建设“半导体及精密抛光材料生产项目”。

项目经双流县发展和改革局双发改投资备案[2013]020号文备案登记，2013年6月绵阳市环境科学研究所和西南交通大学完成《成都时代立夫科技有限公司半导体及精密抛光材料生产项目环境影响报告书》，成都市环保局于2013年7月对报告书予以批复（成环建评[2013]1222号文）。根据环评报告书及批复，租赁成都西航港建设投资有限公司位于双流县西南航空港经济开发区厂区内的标准厂房，建设抛光材料生产线一条、库房、办公室等，形成年产5万片晶圆厂商用研磨垫、10万片LED外延片厂商用研磨垫的生产能力。

该项目于2013年1月开始建设，于2013年10月完成设备安装，经成都市环保局批准，2013年12月投入试生产。

项目建成后实际生产能力与实际建成的生产能力、设计生产能力一致。

目前项目主体设施和环保设施运行稳定、正常，生产能力达到设计生产能力，基本符合验收监测条件。

受成都时代立夫科技有限公司委托，成都市环境监测中心站根据国家环保总局环发[2000]38号文《关于建设项目环境保护设施竣工验收监测管理有关问题的通知》及其附件的要求，于2014年2月11日对建设工程进行了现场勘察，2014年3月20日、21日开展了现场监测和环境管理检查，在此基础编制了该工程竣工环境保护验收监测报告。

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验收监测范围：

成都时代立夫科技有限公司半导体及精密抛光材料生产项目主体工程（抛光材料生产线）、辅助及公用工程（库房、无尘车间、供水、供电）、办公及生活设施（办公室、会议室、更衣室）和环保设施。详见表1。

验收监测内容：

（1）废水排放监测；

（2）厂界环境噪声监测；

（3）固体废弃物处理处置检查；

（4）公众意见调查；

（5）环境管理检查。

2验收监测依据

2.1中华人民共和国国务院令第253号《建设项目环境保护管理条例》；

2.2国家环保总局令第13号《建设项目竣工环境保护验收管理办法》；

2.3国家环保总局发[2000]38号文《关于建设项目环境保护设施竣工验收监测管理有关问题的通知》及其附件；

2.4国家环境保护总局环函[2002]222号《关于建设项目竣工环境保护验收适用标准有关问题的复函》；

2.5四川省环境保护局川环发[2003]001号《关于认真做好建设项目竣工环境保护验收监测工作的通知》及其附件；

2.6双流县发展和改革局双发改投资备案[2013]020号文，《双流县发展和改革局关于成都时代立夫科技有限公司半导体及精密抛光材料生产项目登记备案的通知》；

2.7绵阳市环境科学研究所、西南交通大学，《成都时代立夫科技有限公司半导体及精密抛光材料生产项目环境影响报告书》；

2.8成都市环境保护局成环建评[2013]222号文，《关于成都时代立夫科技有限公司半导体及精密抛光材料生产项目环境影响报告书审查批复》；

2.9双流县环境保护局双环建[2013]74号文，《关于成都成都时代立夫科技有限公司半导体及精密抛光材料项目执行环境标准的批复》；

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