微电子概论（第3版）课件2-3-5pn结隧道击穿与热电击穿.pptx

《微电子概论（第3版）IntroductiontoMicroelectronics郝跃贾新章史江一》SecondEdition

目录1.pn结击穿特性2.3.5pn结击穿2.雪崩击穿3.隧道击穿4.雪崩击穿与隧道击穿的比较5.热电击穿

3.隧道击穿即使粒子能量E小于势垒高度V0，但是粒子仍然有一定概率穿过势垒，称为隧穿。复习：量子力学中的隧穿概念若势垒深度a较厚，则隧穿概率几乎为0，相当于不发生隧穿。隧穿概率为：随着势垒深度a的减小，隧穿概率将指数增加。

3.隧道击穿(1)pn结隧道击穿机理反偏情况下，p区中价带顶电子的能量可能高于n区导带底的电子能量但中间隔有禁带，按照经典物理结论，p区价带电子不能直接到达n区导带成为自由电子，参与导电。反偏情况下，p区中只是导带的少子电子被扫向p区导带，构成反向电流。

3.隧道击穿(1)pn结隧道击穿机理根据量子力学隧穿机理，p区价带电子具有一定概率能够隧穿过禁带到达n区导带，成为自由电子，构成电流，使反向电流增大。若隧穿效应很强，反向电流将急剧增大，从端特性上表现为击穿，称为隧道击穿。隧道击穿又称为齐纳击穿。

3.隧道击穿(2)影响隧道击穿电压的因素根据量子力学原理，隧穿概率∝exp(-L)记隧道深度为L隧道深度L越小，隧穿概率将指数增大因此隧道深度L是否足够小是能否发生隧道

3.隧道击穿(2)影响隧道击穿电压的因素结论：只有掺杂浓度很高的pn结（掺杂浓度在1020/cm3以上）才可能发生隧道击穿。相应击穿电压很低，只有几伏。若掺杂浓度较低，势垒宽度较宽，L较大，隧穿概率几乎为0，不可能发生隧穿。由能带图：为了使隧穿效应明显得：→要求势垒宽度W↓→要求掺杂浓度↑→要求隧道深度L↓

3.隧道击穿(3)隧道击穿电压的温度系数若外加电压已达到隧道击穿电压，说明势垒深度L已足够小由固体物理结论，温度T↑将导致Eg↓则反偏电压绝对值可以降低，仍然保证L足够小，表现为击穿电压降低。结论：隧道击穿电压具有负的温度系数。

4.雪崩击穿与隧道击穿的比较(1)击穿电压数值范围不同若击穿电压BV4Eg/e，则为隧道击穿。若击穿电压BV6Eg/e，则为雪崩击穿。若击穿电压介于两者之间，表示两种击穿机理同时存在。对Si，BV5V为隧道击穿。对Si，BV8V为雪崩击穿

4.雪崩击穿与隧道击穿的比较(2)击穿电压温度系数不同雪崩击穿电压的温度系数为正。隧道击穿电压的温度系数为负。利用这一特点，可以制造出温度系数极小的稳压二极管。

5.热电击穿(1)热电击穿现象功率器件中pn结反向功率损耗较大，发热会导致pn结温度升高。温升又引起载流子本征载流子浓度指数增加，促使反向电流增大。反向电流增大导致功耗的增加又会使结温继续上升。如果器件散热不良，这种连锁反应会形成电流的急剧增加，导致pn结损坏。这种反向电流急剧增加表现出的击穿称为热电击穿。

5.热电击穿(2)防止热电击穿的主要措施①改进工艺，防止pn结内部出现晶格缺陷导致电流局部集中形成局部过热。②改善封装设计，提高pn结二极管的散热能力。③改善使用条件，包括使用散热片，防止散热不良。