微电子概论（第3版）课件2-4-7BJT模型EM3.pptx

目录1．BJT模型：E-M模型与G-P模型2.4.7BJT模型与模型参数2．E-M1模型3．E-M2模型4．E-M3模型5．讨论

4．E-M3模型在E-M2模型基础上进一步考虑晶体管的二阶效应，包括基区宽度调制、小电流下复合电流的影响、大注入效应等，就成为E-M3模型。

4．E-M3模型(1)基区宽度调制效应(Early效应)按照器件物理描述的方法，正向放大应用情况下，采用正向Early电压VA（记为VA）描述c’-b’势垒区两端电压Vc’b’对有效基区宽度Xb的影响，进而导致IS、βF等器件特性参数的变化。同样引入反向Early电压（记为VB）描述反向放大状态下Ve’b’的作用。

4．E-M3模型(1)基区宽度调制效应(Early效应)考虑基区宽变效应引入两个模型参数：VA：正向Early电压VB：反向Early电压这两个模型参数的默认值均为无穷大。若采用其内定值，实际上就是不考虑基区宽度调制效应。考虑基区宽变效应等效电路并不发生变化。

4．E-M3模型(2)小电流下势垒复合效应的表征正向放大情况下引入下式所示be结势垒区复合电流的影响：I2＝ISE[exp(qVb’e’/NekT)-1]反向放大情况下引入下式所示bc结势垒区复合电流的影响：I4＝ISC[exp(qVb’c’/NckT)-1]小电流下正偏势垒区复合电流使基极电流增大。这两个电流分量均成为基极电流。对应等效电路中基极电流IB增加两个电流分量。

4．E-M3模型(2)小电流下势垒复合效应的表征I2＝ISE[exp(qVb’e’/NekT)-1]I4＝ISC[exp(qVb’c’/NckT)-1]新增4个模型参数：ISE(发射结漏饱和电流)ISC(集电结漏饱和电流)NE(发射结漏电流发射系数)NC(集电结漏电流发射系数)

4．E-M3模型(3)大注入效应的表征新增两个模型参数正向放大情况下，大注入效应使ICC随be结电压的增加趋势变慢，为此只需将ICC表达式作下述修正，等效电路无需变化：ICC=IS[exp(eVb’e’/kT)-1]/[1+(IS/IKF)exp(eVb’e’/2kT)](1/2)反向放大情况下，考虑大注入效应，IEC与bc结电压关系作如下修正：IEC=IS[exp(eVb’c’/kT)-1]/[1+(IS/IKR)exp(eVb’c’/2kT)](1/2)IKF：表征大电流下正向电流放大系数下降的膝点电流IKR：表征大电流下反向电流放大系数下降的膝点电流

5．讨论(1)默认值为0或者无穷大的模型参数E-M2模型中有8个模型参数以及E-M3模型中的ISE和ISC两个参数默认值均为0。E-M3中的VA、VB、IKF和IKR四个模型参数的默认值均为无穷大。如果在模拟过程中这些模型参数采用其默认值，则模拟仿真过程中将不考虑所代表的物理效应。

5．讨论(2)不同模型参数的影响范围注意晶体管在电路中应用特点确定应考虑的模型参数。例如，若晶体管用于正向功率放大，不但无需考虑描述反向工作状态的所有参数，对正向工作状态的小电流参数ISE也无需考虑。

5．讨论(3)其他效应的考虑在PSpice模拟软件采用的双极晶体管模型中，还考虑许多其他效应。例如：型参数随温度的变化(包括晶体管饱和电流、漏电流、电流放大系数、串联电阻、势垒内建电势、结电容等参数)；噪声模型；禁带宽度参数等等。使双极晶体管模型参数总数达到60个。