微电子概论（第3版）课件2-6-4MOSFET交流特性.pptx

IntroductiontoMicroelectronicsThirdEdition《微电子概论》（第3版）郝跃贾新章史江一

目录1.跨导2.6.4MOSFET交流特性2.特征频率fT

1．跨导（Transconductance）(1)跨导定义描述了输入交流电压信号vgs作用下产生的输出交流电流ids。

1．跨导（Transconductance）由得在线性区以及过渡区，跨导与VDS成正比，而与栅压VGS以及阈值电压均无关。由于非饱和区与饱和区电流表达式互不相同，因此应分别计算这两个区域的跨导(a)非饱和区跨导gmL(2)MOSFET跨导表达式

1．跨导（Transconductance）(2)MOSFET跨导表达式由得与线性区以及过渡区情况不同，饱和区跨导与VDS无关，而与栅压VGS以及阈值电压VT有关。(b)饱和区跨导gmS

1．跨导（Transconductance）(3)提高跨导的措施虽然非饱和区跨导以及饱和区跨导与电压VDS、VGS以及阈值电压的关系互不相同，但是他们对器件结构以及相关参数的要求是一致的：增大跨导参数KP（包括提高迁移率以及增大栅氧电容COX）。增加沟道的宽长比(W/L)。

2．特征频率fTMOSFET器件特征频率的含义与BJT相同，即：使得交流电流放大系数等于1的频率为特征频率。(1)特征频率fT的定义

2．特征频率fT(2)特征频率fT的基本表达式记MOSFET输入交流小信号电压为vgs，输入端等效栅电容为CG，则流过输入端的交流电流为：ig=jωCGvgs=j(2πf)CGvgs按照跨导定义，流过输出端的交流电流为ids=gmvgs特征频率fT是使得ids与ig摸值相等的频率，即(2πfT)CGvgs=gmvgs，因此得fT=gm/(2πCG)

2．特征频率fT(3)提高特征频率fT的主要途径fT=gm/(2πCG)从表达式看，提高特征频率的途径是增大跨导、减小输入电容如果不考虑寄生电容，输入端电容只需考虑栅氧电容，即CG=CoxWL，其中W和L分别是沟道宽度和沟道长度，Cox为单位面积栅氧电容。跨导正比于因此得：结论：除了与迁移率有关外，提高特征频率的关键因素是减小沟道长度，从而减小载流子传输过程中通过沟道的渡越时间，进而提高特征频率。