微电子概论（第3版）课件3-7A_金属化.pptx

目录1．金属化互连的作用与基本流程3.7金属化2．常用的互连金属材料3．电极和金属互连结构4．金属层制备工艺5．表面平坦化工艺CMP

1．金属化互连的作用与基本流程(1)金属化互连的作用①生成集成电路中各元器件的电极；②实现元器件间互连；③提供与芯片外部相连的键合区（Pad）

1．金属化互连的作用与基本流程(2)金属化互连基本流程①引线孔光刻：刻蚀出每个器件的电极接触孔②淀积金属层：在晶圆表面淀积一层金属层③金属互连线反刻：保留金属层上作为电极、互连线以及键合区的部分，将其余部分金属刻蚀掉。④合金化：在较低的温度（对铝互连为450℃）进行10～15min的合金化处理，实现金属化层与半导体材料之间的低阻欧姆接触。

2．常用的互连金属材料(1)对金属化材料的要求①导电性能好，形成低阻互连线；②与半导体之间有良好的接触特性，形成低阻欧姆接触；③台阶覆盖性能好：互连线跨越芯片表面台阶时不会出现“断条”；④工艺相容，易于淀积和刻蚀。

2．常用的互连金属材料(2)常用的金属化材料①金属材料早期半导体器件和集成电路一直采用金属铝Al近十几年集成电路以及功率半导体器件越来越多地采用性能更稳定、导电性更好的金属铜Cu进入45nm工艺节点后，MOSFET采用高k介质代替氧化层栅，同时也在多晶硅栅电极的基础上采用金属栅极②重掺杂多晶硅：早期的MOS器件采用多晶硅栅电极取代铝栅现代双极晶体管基极和发射极开始采用重掺杂多晶硅电极自对准技术③难溶金属硅化物电极。

3．电极和金属互连结构(1)单层金属化早期半导体器件以及中、小规模集成电路一直采用单层金属化电极和金属互连线。

3．电极和金属互连结构(2)多层金属化(a)铝互连多层金属化随着器件尺寸减小，pn结较浅时，为了防止Al在硅中的渗透形成“尖楔”导致pn结特性退化，往往采用多层金属化结构。直接与硅接触的将不是铝，而是另一种能够与硅形成稳定硅化物的金属，例如铂，称之为接触层。铝因其导电性能好，所以仍用作导电层，位于金属化层的最上层。由于铝与铂反应生成Al2Pt，使硅在其中溶解扩散，导致接触失败，因此在铝和铂之间加一层钨—钛复合层作为阻挡层，最终的互连金属层就成为一种“接触层—阻挡层—导电层”的多层金属化结构。

3．电极和金属互连结构(2)多层金属化(b)MOS器件的多层金属化栅电极采用具有自对准作用的多晶硅栅取代铝栅后，在沟道尺寸缩小到深亚微米范围时，多晶硅栅电阻率相对较高的问题已严重地影响MOSFET的高频参数。为此在多晶栅的基础上改为采用多晶硅和金属硅化物silicide(如WSi2)双层材料代替多晶硅栅。硅化物也同时作为源漏区的接触电极。

3．电极和金属互连结构(3)多层互连线随着集成电路规模增大，采用单层互连线已不能实现电路的互连。目前大规模集成电路均采用多层互连线。相邻层次互连线之间采用低介电常数的绝缘层隔开相邻层次互连线之间需要相连的部分采用“通孔（Via）”相连。