微电子概论（第3版）课件4-2-1集成电路无源器件-集成电阻 .pptx

IntroductiontoMicroelectronicsThirdEdition《微电子概论》（第3版）郝跃贾新章史江一

4.2.1集成电阻4.2集成电路中的无源器件4.2.2集成电容4.2.3集成电感目录4.2.4互连线

1.扩散电阻4.2.1集成电阻2.外延电阻3.离子注入电阻目录4.多晶硅电阻5.接触电阻6.集成电阻的比较

0.概述包括：扩散电阻、外延电阻、离子注入电阻（阱电阻）和多晶电阻等特点：电阻阻值绝对误差大，相对误差（匹配误差）相对小方块电阻：又称方阻，是指一个正方形的薄膜导电材料边到边之间的电阻。方块电阻具有一个特性，任意大小的正方形其方阻都是一样的，方阻仅和导电薄膜的电导率、厚度有关。???

1.扩散电阻由扩散区的体电阻构成对于双极电路，主要包括：基区扩散电阻、发射区扩散电阻基区扩散电阻结构示意100~200Ω/□发射区扩散电阻结构示意2~10Ω/□等效电路

2.外延电阻由外延层实现特点：阻值相对较高、耐高压外延电阻结构示意（2~5）×103Ω/□作用：在CMOS电路中，用于抗闩锁设计

3.离子注入电阻通过离子注入形成注入层形成特点：阻值相对可控（调整注入剂量）MOS管源漏寄生电阻作用：用于大阻值、高精度场景离子注入电阻结构示意（0.1~20）×103Ω/□寄生：在CMOS晶体管中，源漏经常采用注入方式实现，会在源漏区引入寄生电阻

4.多晶硅电阻利用多晶硅层扩散掺杂形成，通过调整掺杂浓度可以调整阻值特点：阻值几十~几千Ω/□，需要屏蔽层保护MOS硅化物多晶硅栅多晶硅电阻结构示意10~103Ω/□寄生：在硅栅工艺MOS晶体管中，多晶硅栅极会形成寄生电阻，影响器件性能；降低方法：增加金属硅化物（1~5Ω/□）；大栅宽器件可并联金属层（0.02~0.1Ω/□）

4.多晶硅电阻采用并联结构设计、并联金属层等方式来减小寄生大栅宽器件的寄生电阻PMOS管栅长为60μm，单指多晶电阻200Ω/□，R=200×2×30/0.11≈110KΩ采用硅化物多晶，方阻为1Ω/□，栅极两端电阻约为0.5KΩ；采用插指结构，纵向电阻约为18Ω，横向电阻约为140Ω;插指横向并联Al金属层，Al方阻为0.02Ω/□，则横向电阻约为2.8Ω;W=2μml=0.11μm30个插指

5.接触电阻信号从集成器件内部引出时连接孔形成的电阻特点：金属、半导体（扩散区、多晶）形成金半接触，该连接为欧姆接触，连接孔称为接触孔MOS管源漏寄生电阻寄生：为了降低接触孔电阻，通常需要在接触孔位置达到一定的扩散区浓度

6.集成电阻的比较电阻方块电阻（Ω/□）相对误差（%）温度系数（ppm/℃）基区电阻100～200±20＋1500～2000发射区电阻2～10±20＋6000离子注入电阻100～1000±3可控基区沟道电阻2～10k±50＋2500外延层电阻2～5k±30＋3000外延层沟道电阻4～10k±7＋3000薄膜电阻?±3＋200