微电子概论（第3版）课件2-4-5多发射极条版图.pptx

《微电子概论（第3版）IntroductiontoMicroelectronics郝跃贾新章史江一》SecondEdition

1.基区串联电阻2.4.5BJT功率特性2.基区横向压降与发射极电流集边效应3.功率BJT的交叉梳状结构版图设计目录4.外延结构晶体管

3.功率BJT的交叉梳状版图设计(1)（功率）晶体管发射区图形选择由于存在电流集边效应，为了满足IE较大的要求，同时防止出现大注入效应，发射区边缘长度应足够长为了保证频率特性，AE应尽量小因此发射区图形的周长面积比应尽量大。长条形发射区图形是较好的选择，广泛由于功率BJT版图设计中。

3.功率BJT的交叉梳状版图设计(2)发射区条状图形尺寸的确定考虑①条状发射区AE尽量小②为了保证较大的工作电流IE，同时防止出现大注入效应，应保证发射极条有足够的长度③应考虑单根发射极条的条长是否受到一定条件的制约。→要求条宽尽量窄→取决于光刻工艺水平→需要确定单位条长允许的电流I0

3.功率BJT的交叉梳状版图设计(3)单位发射区条长允许的最大电流(工程实用数据)①线性放大应用：I0≤0.012~0.04mA/μm②功率放大应用：I0≤0.04~0.08mA/μm（f400MHz）I0≤0.08~0.16mA/μm（f400MHz）③开关应用：I0≤0.16~0.4mA/μm。说明I0值越小，越不容易出现大注入，晶体管特性越好。但是对一定的IE要求，需要的发射极条越长，芯片面积越大。

3.功率BJT的交叉梳状版图设计(4)交叉梳状结构版图设计根据工作电流IE要求，选择合适的I0，则发射极总条长LE为：由于发射极条长方向也会产生压降，使得单根发射极条最长条长受到限制可以采用多根较短发射极条并联的方式。为了减小基区串联电阻RB，每根发射极条两侧均应该有基极条如果采用n根发射极条并联，则一共有（n+1）根基极条。然后通过金属层将n根发射极条并联，将（n+1）根基极条并联。

3.功率BJT的交叉梳状版图设计(4)交叉梳状结构版图设计三根发射极条的版图实例并联在一起的三根发射极条以及并联在一起的四根基极条形似两把交叉的梳子，相互穿插。因此称为交叉梳状结构版图。