微电子概论（第3版）课件3-2A_氧化工艺.pptx

目录1．SiO2在集成电路中的作用3.2氧化工艺2．生长SiO2的热氧化工艺3．化学气相淀积CVD方法4．表征氧化层质量的工艺参数5．氧化技术面临的挑战

1．SiO2在集成电路中的作用由于硼、磷、砷、锑等Ⅲ、Ⅴ族元素原子在SiO2中的扩散速度比在硅中小得多，利用这一特性实现了平面工艺中的核心技术“选择性掺杂”。只要在硅表面上生长一层SiO2，再采用光刻工艺在SiO2层中开个窗口，则高温扩散时杂质原子通过氧化层上的窗口直接掺入Si中。(1)重要作用一：对杂质扩散的掩蔽作用而杂质在SiO2层中扩散非常慢，一般不能扩散通过氧化层到达硅片表面，这样SiO2层就起到掩蔽杂质向硅内扩散的作用，实现了选择性掺杂。显然，SiO2层需要一定的厚度，才能有效地起到掩蔽杂质扩散作用。

1．SiO2在集成电路中的作用目前MOS集成电路中栅材料基本都是SiO2。随着器件尺寸缩小，栅氧化层越薄，只有几百?，漏电和栅氧击穿问题越严重。对氧化工艺的质量提出了更高的要求。(2)重要作用二：作为MOSFET的栅氧化层

1．SiO2在集成电路中的作用①作为钝化层：完成芯片加工后在整个芯片表面淀积一层氧化层，可以避免后工序可能带来的杂质沾污，减弱环境气氛对器件的影响，相当于使器件表面钝化。②作为绝缘介质：由于电阻率高达1016Ω·cm，可以作为隔离介质以及互连层之间的绝缘介质。③作为IC中电容的介质。(