微电子概论（第3版）课件4-3-3双极集成器件与电路设计-npn晶体管纵向结构设计 .pptx

IntroductiontoMicroelectronicsThirdEdition《微电子概论》（第3版）郝跃贾新章史江一

4.3.1双极晶体管结构4.3双极集成器件与电路设计4.3.2双极晶体管寄生效应4.3.3npn晶体管纵向结构设计目录4.3.5双极集成电路版图设计4.3.4npn晶体管横向结构设计4.3.6双极集成电路版图设计实例

0.概述设计指标：依据电路对晶体管性能参数要求，来设计确定晶体管的纵向结构尺寸与工艺要求设计对象：①集电区电阻与掺杂浓度（影响寄生电阻、击穿电压）；②基区宽度（决定fT）；③发射结结深、集电结结深（影响频率）；④基区、发射区表面掺杂浓度（影响发射效率、电流特性）

1.集电区电阻设计集电区通过外延工艺来生成，主要参数有：①外延层掺杂浓度NC、②外延层厚度击穿电压BVCBO为击穿电压随着NC的增大而减小；工程中，由工作电压确定外延电阻率外延层掺杂浓度NC对于数字电路，外延层电阻会影响晶体管集电极电阻对于模拟电路，外延层掺杂浓度影响击穿电压

1.集电区电阻设计②外延层厚度χjs主要由集电结结深χjc、集电结最大耗尽层宽度χmc、衬底结杂质反向扩散深度χR以及氧化层生长过程中的消耗来决定集电区通过外延工艺来生成，主要参数有：①外延层掺杂浓度NC、②外延层厚度χjs＝χjc＋χmc＋χR＋0.44dSiO2＋ΔdSiO2为氧化层厚度，Δ为余量

2.基区设计——宽度Wb基区宽度由特征频率、功率等决定，下限保证不能发生基区穿通功率管：宽基区晶体管受电流集边效应影响小，常被采用；高频管：基区宽度Wb越小，特征频率fT越高；但是，Wb减小，Rb会增加，从而导致fmax下降，设计时，多采用多基极条结构

3.发射结结深、集电结结深设计集成双极晶体管的基区宽度Wb＝χjc－χje。由于扩散结深度存在不均匀性，为了便于工艺控制，当Wb选择后，一般的双极集成电路中通常使得发射结结深χje与Wb相当，即χjc约为χje的2倍。高频管：发射结结深可选0.5~1μm微波管：发射结结深可选0.2~0.3μm

4.基区、发射区表面掺杂浓度基区和发射区的杂质浓度及其分布情况主要影响晶体管发射效率、基极电阻和晶体管电流特性。为了保证发射效率，发射区表面浓度比基区表面浓度高两个数量级以上，同时注意发射区表面浓度增加引起禁带宽度变窄导致的发射效率下降