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相对误差(RSD,变异系数)通常误差范围取 ,相对误差N或n对E的影响第30页,共42页,星期日,2025年,2月5日第1页,共42页,星期日,2025年,2月5日如:GM管、电离室计数率电压坪曲线死时间校正第2页,共42页,星期日,2025年,2月5日2.闪烁计数器射线→闪烁体(固闪、液闪)→产生荧光→转换成电讯号→放大→记录3.半导体探测器讯号正比于射线强度锂漂移型(Ge(Li)、Si(Li))能量分辨率高,能谱分析第3页,共42页,星期日,2025年,2月5日第一节固体闪烁计数器(一)探头一、仪器工作原理γ→1.闪烁体吸收射线,将射线能转化为光子第4页,共42页,星期日,2025年,2月5日①无机晶体NaI(Tl)→γ射线ZnS(Ag)→α射线CsI(Tl)→β射线②有机闪烁体(有机晶体、塑料闪烁体)→β射线优点:可塑性,低本底,不潮解第5页,共42页,星期日,2025年,2月5日NaI(Tl)晶体的工作原理碘的原子量高、易吸收γ射线(三个效应)导带满带禁带能带原理孤立能级293310>420nm第6页,共42页,星期日,2025年,2月5日井型NaI(Tl)晶体(图2-1),增加测量立体角,提高测量效率,125I≥70%理想闪烁体:①Z↑②发光效率↑③光谱匹配④τ短⑤自身透明第7页,共42页,星期日,2025年,2月5日2.光导作用:减少全反射,提高测量效率PMTiciPMTici一般是硅油n大→ic大→全反射↓→E↑ic:临界角n:折射率第8页,共42页,星期日,2025年,2月5日3.光电倍增管(PMT)光→电子→放大(倍增)①光阴极→产生光电子要求:ⅰ光谱匹配ⅱ光电转换效率↑②打拿极(次阴极)→电子倍增光电子在电场加速作用下,在打拿极打出更多电子,若每个打拿极倍增因子为4,12个打拿极总增益为:412≈1.7×107第9页,共42页,星期日,2025年,2月5日③阳极→收集电荷,经RC电路产生一个负脉冲,脉冲大小与电荷量相关工作条件选定:信噪比优点:①E↑②τ短缺点:对高压要求高第10页,共42页,星期日,2025年,2月5日(二)核电子仪器2.甄别器甄别阈只有大于甄别阈的脉冲才能通过甄别器,进入计数电路。作用:降噪,降本底第11页,共42页,星期日,2025年,2月5日3.脉冲幅度分析器(单道)有上、下2个甄别器加一个反符合电路组成。二个甄别器阈值之差→道宽→计数窗(计数道)多道脉冲幅度分析器(256,4096道)1234上甄别器下甄别器脉冲1和2上甄别器反符合电路输出脉冲4脉冲1,2和4下甄别器第12页,共42页,星期日,2025年,2月5日二、γ射线样品测量(一)γ射线能量测量1.单能γ射线能量光电峰能量≈γ射线能量确定核素的特征(依据)△EE0光电峰第13页,共42页,星期日,2025年,2月5日2.125I的γ能谱EC后核退激,Er=35.5keVK俘获后及发射IC电子后X1:31keVX2:27.5keVK俘获后X1X2e-第14页,共42页,星期日,2025年,2月5日γ与x光子时而单独辐射,时而出现符合事件。故而出现2个光电峰:27.5~35.5keV58~66keV27.5~35.558~66第15页,共42页,星期日,2025年,2月5日单道谱仪:设定道宽,逐步改变下甄别位置,分别测定γ谱的不同部分,最后完成全谱。3.γ射线能谱测定多道谱仪:设定道宽,同时测定能谱各部分,得到能谱第16页,共42页,星期日,2025年,2月5日能量分辨率=?E/E0137Cs光电峰NaI(Tl)分辨率≈7%~10%Ge(Li)4096道
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