基于多物理场耦合的功率AlGaN_GaN HEMT器件单粒子效应仿真研究.docx

基于多物理场耦合的功率AlGaN/GaNHEMT器件单粒子效应仿真研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代电子系统向高功率、高频率、高温以及抗辐射等方向不断发展，对半导体器件的性能提出了愈发严苛的要求。AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）作为第三代半导体器件的典型代表，凭借其独特的优势在众多领域崭露头角。

AlGaN/GaNHEMT器件具备高电子迁移率、高功率密度、低导通电阻以及良好的高温稳定性等卓越性能。在高电子迁移率方面，其利用AlGaN/GaN异质结界面形成的二维电子气（2DEG），电子迁移率极高，这使得器件在高频下能够保持出色的性能，能够支持更高的工作