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长寿命中子管自成靶技术研究

摘要

自成靶中子管在正常使用时，靶面能量沉积使得靶面温度升高，靶中吸附的

氢同位素出现解吸附，造成中子产额下降。传统的中子管采用的是钛靶，但是靶

面温度一旦超过180℃，靶中吸附的氢同位素会热解析。因而，有必要对耐高温

的新型中子管靶材料进行研究，为高温下使用中子管提供参考依据。本文主要采

用模拟与实验相结合的方法对自成靶中子管技术研究，研究内容和结果如下。

首先，基于SRIM对镁靶与钛靶的中子产额进行了模拟计算对比研究。通过

SRIM60keV~120keV

模拟入射氘离子的射程、能量损失以及对低能量段（）的

D-D反应截面/D-T反应截面进行离散积分等，得到理想情况下的镁靶中子产额

比钛靶高50%左右。

随后展开镁靶与钛靶的氘饱和效应研究，在低温下对镁靶与镁靶进行氘离子

注入实验。束流强度为200μA下钛靶在400min左右达到饱和，而束流强度为

100μA下镁靶在600min仍未达到饱和。通过将镁靶的中子产额随时间变化曲线

外推，得到镁的饱和时间长达100h，但每秒内单位束流强度下镁靶的中子产额

仍高于钛靶的中子产额。利用镁靶理论含氘量与氘离子注入速率的关系进行理论

计算，得到常温下束流强度为100μA的镁靶理论饱和时间长达100h，与实验结

果相符。

针对镁靶长时间未饱和问题，进行了不同温度、束流参数以及靶类型对镁靶

中含氘量的影响的模拟研究。利用镁靶放氘量随温度的变化曲线，分别得到了放

氘量对应的束流强度以及氘离子注入量与放氘量达到动态平衡的温度(热解析平

衡温度)。设计了镁合金靶与镁膜铜底靶，采用COMSOL研究镁合金靶面温度

与镁膜靶面温度随束流参数(入射粒子能量、束流强度、束斑半径)的变化情况，

得到镁合金靶面温度更低。在靶面不超过热解析平衡温度的前提下，对镁合金靶

进行了优化设计，使得靶面束流功率34W提高到60W，中子产额可得到提高。

最后开展实验进行验证，通过移动冷却水管道的位置、调控束流强度两种方

式来控制靶面温度。此外，采用热电偶测温与多物理场耦合传热模拟对靶面温度

的测量进行校正。通过实验研究镁合金靶在不同温度下中子产额随时间变化曲

线，对镁合金靶的放氘性能进行研究，得到镁合金靶的靶面温度超过热解析平衡

温度后，靶中中子产额会大量减少。并且对相同温度下的镁合金靶与镁膜靶的中

子产额进行对比研究，发现镁合金靶与镁膜靶的含氘量都随着温度的升高逐渐减

哈尔滨工程大学专业学位硕士学位论文

少，但镁合金靶的中子产额始终高于镁膜靶。最后得出，中子管采用镁靶耐高温，

并且镁合金靶采用一体化设计，在中子管应用中具有优势。

关键词：中子管镁靶；COMSOL模拟；放氘动力学；优化设计

长寿命中子管自成靶技术研究

ABSTRACT

Duringnormaluseofdrive-intargetneutrontubes,duetoenergydepositionon

thetargetsurface,thetemperatureofthetargetsurfaceincreases,leadingtothe

desorptionofhydrogenisotopesadsorbedinthetarget,resultinginadecreasein

neutronyield.Traditionalneutrontubesusetitaniumtargets,butoncethetarget

surfacetemperatureexceeds180℃,theadsorbedhydrogenisotopesinthetargetwill

Undergothermaldecompostion.Therefore,itisnecessarytostudynewhigh-temperature

resistantneutrontube