AMR集成角度传感器芯片设计与实现.pdf

摘要

伴随着中国经济的飞速增长和科技实力的增强，中外经济贸易摩擦和科技的

对抗日益频繁。近年来，以美国为首等国家对中国航空、信息技术、生物技术、

集成电路等多个领域进行制裁。这使集成电路（IC）乃至半导体行业首当其冲，

极大的影响了我国科技发展的进程。现阶段我国正处于4G向5G的过渡阶段，5G

是万物互联时代的重要科学技术。而传感器作为一种关键器件，可以将IC设计和

物联网巧妙的衔接，因此我国需要大力研究传感器芯片相关技术。其中，角度传

感器在传感器中应用十分广泛，所以角度传感器技术的突破与掌握就显得至关重

要。

各向异性磁电阻AMR（Anisotropicmagnetoresistance）角度传感器凭借着良

好的稳定性和优秀的性能，占据大部分角度传感器市场。现阶段大部分国外企业，

主要从磁性薄膜材料、传感器结构和生产制造工艺等方面入手，来提升AMR角

度传感器件性能。而大部分国内企业主要从AMR角度传感器的算法、芯片外围

电路入手，来提升AMR角度传感器的性能。这两种对AMR角度传感器性能的提

升方案，本应该是一体且同时进行，而如今却割裂成两个部分。针对这种现象，

本论文主要通过研究AMR角度传感器的原理、传感器的制备方法、传感器外部

电路的设计和传感器的算法这几种方法来提升传感器AMR效应，同时提升AMR

角度传感器的性能。具体研究内容如下：

首先本文从AMR角度传感器的基本原理入手，选用了NiFe、NiCo两种材料。

同时，根据薄膜材料电阻率与惠斯通电桥厚度、总长度的关系，设计出惠斯通电

桥形状和惠斯通电桥的总长度。为了将已设计完成的惠斯通电桥图形生长在基片

上，本文又使用CAD软件制作了与电桥图形相匹配的掩膜版。随后采用磁控溅射

方法，分别生长NiCo、NiFe薄膜，通过比较AMR效应的大小，最终选择厚度为

50nm、宽长比为1:11的NiCo，其中退火温度为150℃，时间为0.5h。本文通过

Wire-Bonding等封装技术，将基片封装成九个独立的传感器，该传感器有着120

Oe饱和场的优点。

本文后续研究了该传感器芯片工作的外围电路，具体有放大、稳压电路等，

并使用EDA工具设计了PCB（PrintedCircuitBoard）板。为了测试AMR传感器

性能，本文使用3D打印技术构建了用于搭建测试平台的支架。

本文研究了AMR传感器角度算法，如：直流偏置校正算法、幅度校正算法、

相位校正算法和CORDIC算法。为了进一步收集、处理测试数据，并编写了测试

软件。数据处理芯片通过SPI（SerialPeripheralInterface）协议读取ADC数模转

换器中数据，而PC电脑端通过UART（UniversalAsynchronous

Receiver/Transmitter）读取数据处理芯片中数据。最后根据角度解算公式求出当

前角度。最终测试得到的误差为0.53°与市面上角度传感器误差近似。

关键词：角度传感器，AMR各向异性磁阻效应，PCB，角度算法

ABSTRACT

WiththerapidgrowthofChinaseconomyandtheenhancementofitsscientificand

technologicalstrength,economictradefrictionandtechnologicalconfrontationbetween

Chinaandforeigncountrieshavebecomeincreasinglyfrequent.Inrecentyears,countries

ledbytheUShaveimposedsanctionsonChinasaviation,informationtechnology,

biotechnology,integratedcircuitsandothersectors.Itmakestheintegratedcircuit(IC)

and