光电发射阴极课件.pptVIP

5.3.4雜訊光電倍增管的雜訊主要由散粒雜訊和負載電阻的熱雜訊組成。負載電阻的熱雜訊為（5-14）散粒雜訊主要由陰極暗電流Id，背景輻射電流Ib以及信號電流Is的散粒效應所引起的。陰極散粒雜訊電流為（5-15）散粒雜訊電流將被逐級放大，並在每一級都產生自身的散粒雜訊。如第1級輸出的散粒雜訊電流為（5-16）第2級輸出的散粒雜訊電流為第n級倍增極輸出的散粒雜訊電流為為簡化問題，設各倍增極的發射係數都等於δ（各倍增極的電壓相等時發射係數相差很小）時，則倍增管末倍增極輸出的散粒雜訊電流為（5-19）光電發射器件5.1光電發射陰極真空光電發射器件具有極高的靈敏度、快速回應等特點，它在微弱輻射的探測和快速弱輻射脈衝資訊的捕捉等方面仍具有相當大的應用領地。光電發射陰極是光電發射器件的重要部件，它是吸收光子能量發射光電子的部件。它的性能直接影響著整個光電發射器件的性能，為此，首先討論用於製造光電陰極的典型光電發射材料。5.1.1光電發射陰極的主要參數光電發射陰極的主要特性參數為靈敏度、量子效率、光譜回應和暗電流等。1.靈敏度光電發射陰極的靈敏度應包括光譜靈敏度與積分靈敏度兩種。11)?????光譜靈敏度定義在單色（單一波長）輻射作用於光電陰極時，光電陰極輸出電流Ik與單色輻射通量φe,λ之比為光電陰極的光譜靈敏度Se,λ。即Se,λ=IK/φe,λ，其量綱為μA/W或A/W。2)?????積分靈敏度定義在某波長範圍內的積分輻射作用於光電陰極時，光電陰極輸出電流Ik與入射輻射通量φe之比為光電陰極的積分靈敏度Se。即，量綱為mA/W或A/W。在可見光波長範圍內的“白光”作用於光電陰極時，光電陰極電流Ik與入射光通量φv之比為光電陰極的白光靈敏度Sv。即Sv=，量綱為mA/lm。2.量子效率定義在單色輻射作用於光電陰極時，光電陰極發射單位時間發射出去的光電子數Ne,λ,與入射的光子數之比為光電陰極的量子效率ηλ（或稱量子產額）。即。量子效率和光譜靈敏度是一個物理量的兩種表示方法。它們之間的關係為（5-1）3.光譜回應光電發射陰極的光譜回應特性用光譜回應特性曲線描述。光電發射陰極的光譜靈敏度或量子效率與入射輻射波長的關係曲線稱為光譜回應。4.暗電流光電發射陰極中少數處於較高能級的電子在室溫下獲得了熱能產生熱電子發射，形成暗電流。光電發射陰極的暗電流與材料的光電發射閾值有關。一般光電發射陰極的暗電流極低，其強度相當於10-16~10-18Acm-2的電流密度。5.1.2光電陰極材料1.單堿與多堿銻化物光陰極銻銫(Cs3Sb)光電陰極是最常用的，量子效率很高的光電陰極。長波限約為650nm，對紅外不靈敏。銻銫陰極的峰值量子效率較高，一般高達20%~30%，比銀氧銫光電陰極高30多倍。兩種或三種鹼金屬與銻化合形成多堿銻化物光陰極。其量子效率峰值可高達30%。2.銀氧銫與鉍銀氧銫光陰極銀氧銫(Ag-O-Cs)陰極是最早使用的高效光陰極。它的特點是對近紅外輻射靈敏。製作過程是先在真空玻璃殼壁上塗上一層銀膜再通入氧氣，通過輝光放電使銀表面氧化，對於半透明銀膜由於基層電阻太高，不能用放電方法而用射頻加熱法形成氧化銀膜，再引入銫蒸汽進行敏化處理，形成Ag-O-Cs薄膜。銀氧銫光電陰極的相對光譜回應曲線畫從圖5-1中可以看出，它有兩個峰值，一個在350nm處，一個在800nm處。光譜範圍在300nm到1200nm之間。量子效率不高，峰值處約0.5%～1%左右。銀氧銫使用溫度可達100℃，但暗電流較大，且隨溫度變化較快。5.2真空光電管與光電倍增管的工作原理5.2.1真空光電管的原理真空光電管主要由光電陰極和陽極兩部分組成，因管內常被抽成真空而稱為真空光電管。然而，有時為了使某種性能提高，在管殼內也充入某些低氣壓惰性氣體形成充氣型的光電管。無論真空型還是充氣型均屬於光電發射型器件，稱為真空光電管或簡稱為光電管。其工作原理電路如圖5-2所示，在陰極和陽極之間加有一定的電壓，且陽極為正極，陰極為負極。1、真空型光電管的工作原理當入射光透過真空型光電管的入射窗照射到光電陰極面上時，光電子就從陰極發射出去，在陰極和陽極之間形成的電場作用下，光電子在極間作加速運動，被高電位的陽極收集，其光電流的大小主要由陰極靈