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栅极的WSi工艺文档.docVIP

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  • 2025-07-06 发布于北京
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栅极的WSi工艺文档.doc

    栅极的WSi工艺

    栅极的WSi工艺

    栅极的WSi工艺

    1CVDWSix工艺介绍

    在存储器电路生产中，特别是在DRAM、FLASH和SRAM器件工艺过程中，通过在多晶硅上淀积WSix，经退火工艺后形成“Polycide”，复合栅结构，降低多晶硅栅的电阻率从而提高器件的速度。工艺流程如图1所示：

    WSix薄膜最重要的优点是电阻率低。在AppliedMaterialP5000设备上，WSix薄膜淀积后(未退火）的电阻率通常控制在750—900Ω·cm.

    薄膜电阻率首先取决于硅含量，控制薄膜电阻率主要的工艺参数是SiH4与WF6的分压比、淀积温度、淀积速率。通常总流量中SiH4的含量越高,薄膜

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