N极性AlGaN基材料的外延生长及n型掺杂技术研究.pdfVIP

摘要

摘要

由于N极性AlGaN基材料具有与金属极性AlGaN相反的极化方向，因此其

具有较低的欧姆接触电阻、较高的表面化学活性等特点，所以基于N极性AlGaN

基材料制作的各种探测器、HEMT和LED等器件均展现出优异的性能。然而，

目前常规的基于AlGaN材料制备的器件大都是由金属极性面AlGaN材料制备而

成的，这是因为Ⅲ族金属原子在N极性材料的表面迁移能力较低，通常会导致N

极性材料的晶体质量和表面形貌相对金属极性材料较差。为了提高N极性n型

AlGaN的材料性能，本研究采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）技术，在

具有一定斜切角度的c面蓝宝石衬底上外延生长了N极性Si掺杂的n型AlGaN

外延层样品，并对其材料特性进行了系统的研究。本论文的研究内容及成果如下：

（1）首先，通过调试高温AlN（HT-AlN）的双路脉冲生长循环数和生长温度，

发现当HT-AlN层的脉冲循环数为150、生长温度为1000℃时，N极性AlGaN

外延层具有最好的晶体质量和表面形貌。其次，通过在已优化的HT-AlN层与外

延层之间插入高Al组分AlGaN缓冲层，降低了外延层与HT-AlN层之间的晶格

失配，使得外延薄膜的晶体质量得到提高。

（2）通过使用不同NH流量来改变N极性AlGaN外延层的Ⅴ/Ⅲ比，调节了

3

外延层的生长速率，显著改善了N极性AlGaN外延层的表面形貌。然后在已优

化的HT-AlN层和高Al组分AlGaN缓冲层基础上生长了Al组分达54%的N极

性AlGaN外延层，并对其进行n型掺杂，获得了n型外延层。进一步通过调整

SiH的摩尔流量寻找电学性能较优的样品，研究发现N极性AlGaN外延薄膜的

4

表面形貌并不依赖于Si的掺杂浓度。

（3）使用MOCVD技术在带有偏向角的c面蓝宝石衬底上成功外延生长了高

质量的具有高达54%的Al组分的N极性Si掺杂n型AlGaN外延层。研究结果

表明：通过优化c面蓝宝石衬底的偏向角度，可显著改善N极性n型AlGaN外

延层的表面形貌，降低外延层岛状颗粒的规模和高度，减少位错密度，有效提高

外延层的晶体质量，最终将电子浓度（electronconcentration，EC）和电子迁移

率提升了将近一个数量级。

关键词：N极性AlGaN基材料，金属有机物化学气相沉积，n型硅掺杂，带偏

向角的c面蓝宝石衬底，电子浓度，电子迁移率

I

Abstract

Abstract

SinceN-polarAlGaN-basedmaterialshavetheoppositepolarizationdirectionto

metal-polarAlGaN,theyhavelowohmiccontactresistance,highsurfacechemical

activity,andotheradvancedcharacteristics.Therefore,excellentperformancefor

N-polarAlGaN-basedphoto-detectors,HEMT,andLEDsareexpected.However,

mostofconventionalAlGaN-baseddevicesarecurrentlymadeofmetal-polarAlGaN

materials.ThisisbecausethemobilityofgroupIIImetalatomsonthesurfaceof

N-polarmaterialsisrelativelylow,resultinginpoorcrystallinequalityandsurface

morphologyofN-polarmaterialscomparedwithmetal-polarmaterials.