第四章光电式传感器.pptVIP

4．5新型光电检测器4．5．1光位置传感器（PSD）半导体光电位置敏感器件（PSD）第30页，共79页，星期日，2025年，2月5日4．5．2量子阱探测器(QWIP) 量子阱探测器(QWIP)：将两种半导体材料A和B用人工方法薄层交替生长形成超晶格，在其界面，能带有突变。电子和空穴被限制在低势能阱A层内，能量量子化，称为量子阱。利用量子阱中能级电子跃迁原理可以做红外探测器。第31页，共79页，星期日，2025年，2月5日第32页，共79页，星期日，2025年，2月5日4．5．3光电磁探测器光磁电（PEM）效应第33页，共79页，星期日，2025年，2月5日 CCD的基本原理CCD器件就是由大量的在同一衬底上集成的MOS电容阵列。CCD的基本功能就是要具有在势阱中存储信号电荷，并将其转移的能力，故CCD又可称移位寄存器。第34页，共79页，星期日，2025年，2月5日 三、CCD图像传感器1、线型CCD图像传感器2、面型CCD图像传感器第35页，共79页，星期日，2025年，2月5日1、线型CCD图像传感器

线型图像传感器是由一列感光单元（称为光敏元阵列）和一列CCD并行而构成的。光敏元和CCD之间有一个转移控制栅，基本结构如图所示。第36页，共79页，星期日，2025年，2月5日2、面型CCD图像传感器线型CCD图像传感器只能在一个方向上实现电子自扫描。为获得二维图像，除了必须采用庞大的机械扫描装置外，另一个突出的缺点是每个像素的积分时间仅相当于一个行时，信号强度难以提高。第37页，共79页，星期日，2025年，2月5日四、光敏二极管CMOS图像传感器光敏二极管CMOS图像传感器的像素结构目前主要有两种：无源像素图像传感器PPS(PassivePixelSensor)和有源像素图像传感器APS(ActivePixelSensor)第38页，共79页，星期日，2025年，2月5日CMOS的两种像素结构第39页，共79页，星期日，2025年，2月5日CMOS芯片组成框图第40页，共79页，星期日，2025年，2月5日 五、高速光电器件光电传感器的响应速度是重要指标，随着光通信及光信息处理技术的提高，一批高速光电器件应运而生。1、PIN结光电二极管（PIN-PD）2、雪崩式光电二极管（APD）第41页，共79页，星期日，2025年，2月5日4．6激光传感技术利用光学原理，通过光波的一些物理特性进行精密测试，是一种非常重要的测试技术方法。由于光学测试方法具有非接触、高灵敏度、高精度以及动态性、实时性等优点，因此其在实际应用中具有广阔的前景。第42页，共79页，星期日，2025年，2月5日4．6．1干涉测试技术光的干涉现象主要是由于光的波动性-光的电磁波本质。干涉测试是以光学干涉原理为基础进行精密测试的技术，通常是以干涉条纹的形式来反映被测物理量的信息，因此其测量灵敏度都达到了光波长的量级.第43页，共79页，星期日，2025年，2月5日第44页，共79页，星期日，2025年，2月5日第45页，共79页，星期日，2025年，2月5日第46页，共79页，星期日，2025年，2月5日第47页，共79页，星期日，2025年，2月5日4．6．2衍射测试技术激光具有非常好的单色性、高亮度和方向性，使实际测试应用中比较容易产生清晰的衍射图像。激光衍射测试方法是一种发展很快的非接触精密测试方法，由于其操作简单、计算方便、性能稳定、灵敏度高等优点.第48页，共79页，星期日，2025年，2月5日4．6．3激光多普勒测速技术一、光学多普勒效应测速的基本原理根据爱因斯坦狭义相对论，可以得到多普勒效应的光波频移量。当光源相对于探测器运动时，如图所示，为光源相对于探测器的运动速度，探测器接收到的光波频率为第49页，共79页，星期日，2025年，2月5日光学多普勒效应第50页，共79页，星期日，2025年，2月5日二、光学多普勒频移的测量—光外差方法在大多数实际测量应用中，是利用了光学外差检测方法来对频移量进行测量的。这一方法源于无线电技术中的外差检波原理，将两束频率不同的光波入射具有平方律响应的光电探测器（如光电倍增管、硅光二极管、雪崩二极管等）中，两光波在探测器中叠加混频，由于光波频率很高，原入射光波以及它们的和频等高频成分的振荡速度太快，超过了探测器的响应时间，探测器输出的只是它们的时间平均值，只有差频成分存在随时间变化的信号输出，这被称为光学外差检测技术。第51页，共79页，星期日，2025年，2月5日4．7光纤传感器光纤是20世纪后半叶的重要发明之一，它与激光器、半导体光电