半导体器件 微电子机械器件 第12部分:采用MEMS结构谐振法的薄膜材料挠曲疲劳试验方法.pdfVIP

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  • 2025-08-29 发布于江苏
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半导体器件 微电子机械器件 第12部分:采用MEMS结构谐振法的薄膜材料挠曲疲劳试验方法.pdf

半导体器件微电子机械器件第12部分:采用MEMS结构谐振法的薄

膜材料挠曲疲劳试验方法

1范围

本文件规定了采用MEMS微结构谐振法的薄膜材料挠曲疲劳试验方法。本文件采用谐振微结构,其长

度和宽度尺寸都在10µm到1000µm之间,厚度在1µm到100µm之间,来测试长度和宽度都小于1mm,厚度为

0.1µm到10µm的薄膜材料。

用于MEMS、微机械等的主要结构材料具有特殊特征,例如微米级的典型尺寸,采用沉积工艺制造材

料,通过非机械方式(包括光刻)加工试样。通常MEMS结构比宏观结构具有更高的固有谐振频率和强度,

12

为了评估和确认MEMS结构的寿命,必须加载非常多的载荷周期(高至10次)来进行疲劳试验。本文件

规定的试验方法,通过高载荷和高频挠曲应力的谐振法,在短时间里评估微观尺度材料的机械疲劳特性。

2引用文件

下列文件中的有关条款通过引用而成为本文件的条款。凡注日期或版次的引用文件,其后的任何修

改单(不包括勘误的内容)或修订版本都不适用于本文件。凡不注日期或版次的引用文件,其最新版本

适用于本文件。

IEC62047-3:2006,

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