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电子级八甲基环四硅氧烷标准立项研究报告

EnglishTitle:ResearchReportontheStandardizationProjectofElectronicGradeOctamethylcyclotetrasiloxane

摘要

电子级八甲基环四硅氧烷（OMCTS）作为半导体制造中化学气相沉积（CVD）及等离子体增强化学气相沉积（PECVD）工艺的关键前驱体材料，广泛应用于集成电路、光伏和显示面板等领域中的硅基绝缘薄膜制备。目前，国内仅有工业级OMCTS的国家标准（GB/T20435-2006），其技术指标无法满足半导体行业对高纯度、低杂质含量的严苛要求。电子级OMCTS在国际和国内均缺乏统一的技术标准，导致产品质量控制依赖客户定制要求，制约了行业规范化发展。

本项目旨在通过系统调研半导体行业对OMCTS的技术需求，确立产品在外观、化学性能、物理性能、环境适应性及杂质控制等方面的技术指标与检测方法，制定适用于电子级OMCTS的通用技术标准。该标准将填补国内空白，提升硅基前驱体材料的自主可控能力，为我国半导体产业链的稳定性和竞争力提供支撑。

关键词：电子级八甲基环四硅氧烷；OMCTS；半导体前驱体；化学气相沉积；标准制定；杂质控制；硅基薄膜

Keywords:ElectronicGradeOctamethylcyclotetrasiloxane;OMCTS;SemiconductorPrecursor;ChemicalVaporDeposition;Standardization;ImpurityControl;Silicon-BasedThinFilm

正文

1研究背景与意义

电子级八甲基环四硅氧烷（OMCTS）是一种分子式为C?H??O?Si?、分子量为296.62的无色透明或乳白色液体，具有可燃性、对湿敏感、易与有机溶剂混溶等特性。其作为有机硅行业的重要中间体，主要通过二甲基二氯硅烷在碱性条件下水解、裂解及精馏工艺制备而成。在半导体制造中，OMCTS通过与水汽或氧气反应生成二氧化硅绝缘薄膜，广泛应用于集成电路的CVD及掺杂工艺。

随着光伏、显示技术和集成电路产业的快速发展，对电子化学品的纯度、稳定性和杂质含量提出了极高要求。工业级OMCTS标准（GB/T20435-2006）仅规定了色度、折光率和纯度等基础指标，无法满足电子级产品对金属离子含量（如钠、钾、铁等）、水分控制及颗粒污染物的限制要求。目前，国内外均缺乏电子级OMCTS的通用技术标准，企业仅能根据客户需求定制生产，导致产品质量参差不齐，制约了半导体材料的国产化进程。

本项目通过制定电子级OMCTS的技术标准，将明确其外观、结构完整性、化学性能（如纯度、金属离子含量）、物理性能（密度、沸点、闪点）及环境适应性等关键指标，同时规范检测方法与质量保证体系。该标准的建立将推动半导体前驱体材料的规范化生产，提升产业链协同效率，助力我国半导体行业的技术自主与供应链安全。

2标准范围与主要技术内容

本标准适用于电子级八甲基环四硅氧烷（OMCTS）产品的技术要求、质量保证及交货准备，主要面向CVD沉积工艺所用的硅基前驱体材料。标准技术内容涵盖以下方面：

2.1一般要求

包括产品的定义、分类、命名规则及基本物化性质（如分子式、分子量、密度、熔点、沸点、闪点等）。

2.2材料与设计

规定原料选择、合成工艺及包装材料的兼容性要求，确保产品在储存和运输过程中的稳定性。

2.3性能指标

-外观：无色透明液体，无可见悬浮物或沉淀；

-化学性能：纯度≥99.99%，水分含量≤5ppm，金属离子杂质（如Na、K、Fe、Ca等）总量≤1ppm；

-物理性能：折光率（25℃）1.390–1.395，密度（20℃）0.955–0.958g/cm3；

-环境性能：需通过高温高湿环境下的稳定性测试；

-特殊性能：CVD成膜速率与均匀性要求。

2.4检测方法与质量保证

明确各项指标的检测方法（如气相色谱-质谱联用（GC-MS）用于纯度分析，电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）用于金属杂质检测），并规定抽样规则、批次检验及合格判定标准。

2.5交货要求

包括包装规格（如高纯氮气保护下的不锈钢容器）、标签信息、储存条件及运输规范。

本项目建议将标准性质定为推荐性国家标准（GB/T），为行业提供技术依据的同时保留一定的应用灵活性。

3参与单位介绍

本项目主要由中国石油和化学工业联合会有机硅专业委员会牵头，联合国内领先的有机硅生产企业、半导体材料研究机构及下游用户共同推进。该专业委员会成立于2005年，是国家标准化管理委员会认定的有机硅领域标准化技术归口单位，曾主导制定多项有机硅国家标准和行业标准，具备丰富的标准