高精度超声喷涂制备超薄纳米铜互连接头及其性能的研究.pdfVIP

摘要

随着电力电子元件在新能源和航空航天等领域的广泛应用，以IGBT为代

表的功率半导体器件需要面临越来越严苛的工作环境，同时第三代半导体的普

及也让功率器件的工作结温推向了新的高度。传统的无铅焊料熔点低，导热性

能差，不再适用于功率半导体的封装需要。纳米材料由于具有低温烧结，高温

服役的特点，完美契合了功率芯片贴装的实际需要，以银、铜为代表的纳米金

属颗粒可以实现高导热和高强度的芯片-基板互连。其中，纳米铜由于具有低成

本和低电子迁移率上的巨大优势近年来逐渐成为纳米银的替代产品。本课题采

用液相还原法制备得到高均匀性纳米铜颗粒，基于提高纳米铜烧结接头力学性

能的实际需要，利用超声喷涂方式沉积出超薄纳米铜互连中间层，并对其微观

组织、力学性能和界面结构进行分析。

纳米铜颗粒的合成以氢氧化铜和抗坏血酸为反应原料，选用聚乙烯吡络烷

酮（PVP）为包覆剂，探讨了反应温度、溶液pH值、包覆剂浓度对铜颗粒平

均粒径和形貌的影响。结果表明，反应温度是生成物从不规则团聚体向球形转

变的关键。提高溶液pH值和增加包覆剂浓度都会使得铜颗粒发生多面体到近

球形的形态转变，伴随纳米铜颗粒的平均粒径先减小后增加。在反应温度140

oC、pH=7的条件下得到尺寸较为均匀、平均粒径最小（140nm）的纳米铜颗

粒，其内部平均晶粒尺寸约为89nm。

利用高精度超声喷涂在铜基板上沉积纳米铜颗粒，通过调整超声功率、载

气流速、进液速度等参数实现近单层纳米铜颗粒的稳定沉积。在真空下对铜基

板-纳米铜中间层-铜基板的三明治结构进行热压键合，探究了烧结温度、界面

平整性，以及纳米铜颗粒平均粒径对超薄纳米铜接头力学性能的影响。实验结

果表明，在良好的界面平整性（表面粗糙度Ra＜126.8nm）前提下，超薄纳米

铜接头在250oC的键合温度、20MPa的键合压力下键合15min即可达到超高

的剪切强度（94.1MPa），对比相同工艺参数下印刷烧结得到的纳米铜接头力

学性能有明显的提高。SEM组织表征结果进一步显示接头内部孔隙率低至

12.3%。对接头断裂附近形貌进行观察，结果表明，印刷烧结接头中心区域的

有机物堆积（即未烧结区域）会导致裂纹沿烧结层内部迅速扩展，而超薄纳米

铜接头则规避了这一可能性，近单层纳米铜颗粒的沉积效果和低孔隙率界面实

现了良好的键合质量。同时EBSD表征结果显示超薄纳米铜接头的界面处纳米

晶有被联结吞并的趋势，这明显不同于印刷烧结接头内部的晶粒长大规律。本

文的研究结果可为纳米铜颗粒系统在电力电子封装中的应用提供新的发展前景

和参考意义。

关键词:纳米铜颗粒；超声；热压烧结；喷墨打印；功率器件

Abstract

Withthewidespreadapplicationofpowerelectroniccomponentsinnewenergy,

aerospaceandotherfields,powersemiconductordevicesrepresentedbyIGBTneed

tofaceincreasinglyharshworkingenvironments.Moreover,thepopularityof

third-generationsemiconductorshasalsopushedtheworkingjunctiontemperature

ofpowerdevicestonewheights.Traditionallead-freesolderhasalowmelting

pointandpoorthermalconductivity,makingitnolongersuitableforthepackaging

needsofpowersemiconductors.Nanomaterials,duetotheircharacteristic