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微电子学;（优选）微电子学;1.半导体的结构;半导体的结合和晶体结构;2.半导体中的载流子：能够导电的自由粒子;电子：Electron，带负电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚后形成的自由电子，对应于导带中占据的电子

空穴：Hole，带正电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚后形成的电子空位，对应于价带中的电子空位;;;价带：0K条件下被电子填充的能量最高的能带

导带：0K条件下未被电子填充的能量最低的能带

禁带：导带底与价带顶之间能带

带隙：导带底与价带顶之间的能量差;半导体中载流子的行为可以等效为自由粒子，但与真空中的自由粒子不同，考虑了晶格作用后的等效粒子

有效质量可正、可负，取决于与晶格的作用;4.半导体的掺杂;施主和受主浓度：ND、NA;;本征载流子浓度：n=p=ninp=ni2

ni与禁带宽度和温度有关;6.非本征半导体的载流子;多子：多数载流子

n型半导体：电子

p型半导体：空穴

少子：少数载流子

n型半导体：空穴

p型半导体：电子;7.电中性条件:正负电荷之和为0;n型半导体：电子n?Nd

空穴p?ni2/Nd

p型半导体：空穴p?Na

电子n?ni2/Na;8.过剩载流子;9.载流子的输运;影响迁移率的因素：

有效质量

平均弛豫时间（散射〕;扩散电流;过剩载流子的扩散和复合;描述半导体器件工作的基本方程;方程的形式1;电流连续方程;电流密度方程;爱因斯坦关系;重点;作业

;半导体器件物理基础

北京大学;据统计：半导体器件主要有67种，另外还有110个相关的变种

所有这些器件都由少数基本模块构成：

pn结

金属－半导体接触

MOS结构

异质结

超晶格;PN结的结构;1.PN结的形成;2.平衡的PN结：没有外加偏压;费米能级EF：反映了电子的填充水平某一个能级被电子占据的几率为：

E=EF时，能级被占据的几率为1/2

本征费米能级位于禁带中央;自建势qVbi;3.正向偏置的PN结情形;正向的PN结电流输运过程;4.PN结的反向特性;;5.PN结的特性;6.PN结的击穿;§2.4双极晶体管;双极晶体管的两种形式：NPN和PNP;双极晶体管的结构和版图示意图;第四十七页，共80页。;2.3NPN晶体管的电流输运机制;NPN晶体??的电流输运;2.3NPN晶体管的几种组态;3.晶体管的直流特性;3.晶体管的直流特性;4.晶体管的特性参数;4.晶体管的特性参数;4.晶体管的特性参数（续）;4.晶体管的特性参数（续）;5.BJT的特点;输入电容由扩散电容决定;缺点：;当代BJT结构;§2.5MOS场效应晶体管;1.MOS电容;关于电容;一MOS结构;;未加偏压时的MOS结构;功函数;平带电压;施加偏压后的不同状态：积累、耗尽、反型;施加偏压后的不同状态：积累、耗尽、反型;施加偏压后的不同状态：积累、耗尽、反型;施加偏压后的不同状态：积累、耗尽、反型;MOS场效应晶体管;第七十四页，共80页。;第七十五页，共80页。;第七十六页，共80页。;第七十七页，共80页。;第七十八页，共80页。;转移特性曲线;谢谢大家！