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半导体器件基础第一页，共50页。
优选半导体器件基础第二页，共50页。
2025/9/223主要内容1.1半导体及其特性1.2PN结及其特性1.3半导体二极管1.4半导体三极管及其工作原理1.5三极管的共射特性曲线及主要参数第三页，共50页。
2025/9/224本征半导体及其特性导体(Conductor)电导率＞105铝、金、钨、铜等金属，镍铬等合金。半导体(Semiconductor)电导率10-9~102硅、锗、砷化镓、磷化铟、碳化镓、重掺杂多晶硅绝缘体(Insulator)电导率10-22~10-14二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅等第四页，共50页。
2025/9/2252、半导体性能半导体三大特性搀杂特性热敏特性光敏特性本征半导体晶格完整（金刚石结构）纯净（无杂质）的半导体第五页，共50页。
2025/9/2261、硅、锗原子的简化模型半导体元素：均为四价元素GeSi+4第六页，共50页。
2025/9/227半导体结构的描述两种理论体系共价键结构能级能带结构第七页，共50页。
2025/9/228共价键结构（平面图）+4+4+4+4+4+4+4+4+4自由电子空穴价电子形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体第八页，共50页。
2025/9/229半导体中的载流子载流子(Carrier)指半导体结构中获得运动能量的带电粒子。有温度环境就有载流子。绝对零度（-2730C）时晶体中无自由电子。第九页，共50页。
2025/9/2210热激发（本征激发）本征激发和温度有关会成对产生电子空穴对---自由电子(FreeElectron)---空穴(Hole)两种载流子（带电粒子）是半导体的重要概念。第十页，共50页。
2025/9/2211本征激发与复合合二为一一分为二本征激发复合第十一页，共50页。
2025/9/2212杂质半导体(ImpuritySemiconductor)杂质半导体：在纯净半导体中掺入杂质所形成。杂质半导体分两大类：N型(Ntype)半导体P型(Ptype)半导体第十二页，共50页。
2025/9/22131、N型半导体施主杂质(Donorimpurities)：掺入五价元素，如磷(P)、砷(As)、锑(Sb)。正离子状态：失去多余电子后束缚在晶格内不能移动。第十三页，共50页。
2025/9/2214图示：N型半导体结构示意图五价原子自由电子+4+4+4+4+4+4+4+4+4+5第十四页，共50页。
2025/9/22151、N型半导体自由电子数=空穴数+施主杂质数少子(Minority)：空穴(Hole)多子(Majority)：自由电子(FreeElectron)N型半导体：电子型半导体第十五页，共50页。
2025/9/22162、P型半导体受主杂质(Acceptorimpurities)：掺入三价元素，如硼(B)、铝(Al)、铟(In)。负离子状态：易接受其它自由电子第十六页，共50页。
2025/9/2217图示：P型半导体结构示意图三价原子+4+4+4+4+4+4+4+4+4+3空穴空位第十七页，共50页。
2025/9/2218P型半导体空穴数=自由电子数+受主杂质数少子(Minority：自由电子(FreeElectron)多子(Majority)：空穴(Hole)P型半导体：空穴型半导体第十八页，共50页。
2025/9/2219杂质半导体的载流子浓度杂质半导体少子浓度主要由本征激发决定的杂质半导体多子浓度由搀杂浓度决定（是固定的）几乎与温度无关对温度变化敏感杂质半导体就整体来说还是呈电中性的第十九页，共50页。
2025/9/2220半导体中的电流是由电场力引起的载流子定向运动漂移电流(DriftCurrent)扩散电流(DiffusionCurrent)由载流子浓度、迁移速度、外加电场强度等决定是由载流子浓度不均匀（浓度梯度）造成的扩散电流与浓度本身无关第二十页，共50页。
2025/9/2221§1.2PN结及其特性PN结是构成半导体器件的核心结构。PN结是指使用半导体工艺使N型和P型半导体结合处所形成的特殊结构。PN结是半导体器件的心脏。第二十一页，共50页。
2025/9/2222P型半导体－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半导体++++++++++++++++++++++++扩散运动内电场E漂移运动扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽。内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使
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