《碳化硅器件功率循环试验方法》.docxVIP

ICS31.080L40/49

团体标准

T/IAWBS025-2025

碳化硅器件功率循环试验方法

2025-09-24发布2025-10-10实施

2025-09-24发布

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布

I

T/IAWBS025—2025

目次

前言 I

1范围 1

2规范性引用文件 1

3术语和定义 1

4文字符号 2

5SiCMOSFET温敏参数选择与标定 2

6SiCMOSFET器件加热模式 2

6.1通则 2

6.2正向沟道加热模式 2

6.3反向沟道加热模式 3

6.4体二极管加热模式 3

7试验设备 4

8试验程序 4

8.1SiCMOSFET器件试验程序 4

8.2SiC二极管器件试验程序 5

8.3SiCMOSFET及SiC二极管混合器件试验程序 5

9试验条件 5

10试验测量 5

11失效判据 5

12检测报告中应给出的信息 6

T/IAWBS025—2025

II

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟提出并归口。

本文件起草单位：中国科学院电工研究所、华中科技大学、浙江芯丰科技有限公司、华侨大学、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟。

本文件主要起草人：张瑾，邹欣宇，王智强，傅金源，郭兴华，刘祎晨。

本文件为首次发布。

1

T/IAWBS025—2025

碳化硅器件功率循环试验方法

1范围

本文件提出了碳化硅器件在进行功率循环试验时需要遵循的方法和步骤。

本文件适用于碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiCMOSFET)、碳化硅(SiC)二极管以及二者混合封装器件的测试。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T4937.3半导体器件机械和气候试验方法第3部分：外部目检

GB/T4937.34-2024半导体器件机械和气候试验方法第34部分：功率循环

GB/T4937.35半导体器件机械和气候试验方法第35部分：塑封电子元器件的声学显微镜检查

IEC60747-2:2016半导体器件第2部分：分立器件整流二极管(Semiconductordevices—Part2:Discretedevices—Rectifierdiodes)

IEC60747-8:2021半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管(Semiconductordevices—Discretedevices—Part8:Field-effecttransistors)

3术语和定义

GB/T4937.34、IEC60747-2以及IEC60747-8界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

正向沟道加热Forwardchannelheating

功率循环试验时，仅在加热阶段施加正栅极电压，开通被测MOSFET沟道，且加热电流从被测MOSFET的漏极流向源极的加热方式。

3.2

反向沟道加热Backwardchannelheating

功率循环试验时，仅在加热阶段施加正栅极电压，开通被测MOSFET沟道，且加热电流从被测MOSFET的源极流向漏极的加热方式。

3.3

体二极管加热Bodydiodeheating

功率循环试验时，始终对被测MOSFET施加负栅极电压，完全关闭被测MOSFET的沟道，且加热电流从被测MOSFET的源极流向漏极的加热方式。

3.4

秒级功率循环Secondlevelpowercycling

加热时间小于等于10s的功率循环。

2

T/IAWBS025—2025

3.5

分钟级功率循环Minutelevelpowercycling

加热时间大于等于30s的功率循环。

4文字符号

IEC60747-2以及IEC60747-8规定的文字符号适用于