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氮化硅陶瓷基片

1范围

本文件规定了氮化硅陶瓷基片的产品分类与标记、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、

运输和贮存。

本文件适用于功率半导体模块用氮化硅陶瓷基片，其它功能用氮化硅陶瓷基片可参照使用。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

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3术语和定义

GB/T9530界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

氮化硅陶瓷基片siliconnitrideceramicsubtrates

可在其表面印制导体图形，膜元件或粘贴电子元器件的一种片状氮化硅陶瓷支撑物。以下简称基片。

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3.2

翘曲度warpage

由基片的3个角点确定一个平面，第四角点偏离该平面的距离。

4分类与标识

按导热性能分为4类（见表3）。用两组符号标识，中间用空格隔开，应使用如下表达方式：

SN

基片的导热系数数值

基片材质代号

注：如供需双方商定的产品类型不属于本标准规定的分类范围，可用“X”表示。

示例：SN80表示导热系数为80W/m•k的氮化硅陶瓷基片。

5要求

5.1外观质量

基片外观质量应符合表1的规定。

表1外观质量a

最大允许值个数

项目典型示例最大允许值/mm

个/30cm²

裂纹不允许0

凸脊不允许高于0.0251

毛刺不允许高于0.011