场效应管习题答案.docVIP

第四章场效应管基本放大电路

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4-1选择填空

1．场效应晶体管是用_______控制漏极电流的。

a.栅源电流b.栅源电压c.漏源电流d.漏源电压

2．结型场效应管发生预夹断后，管子________。

a.关断b.进入恒流区c.进入饱和区d.可变电阻区

3．场效应管的低频跨导gm是________。

a.常数b.不是常数c.栅源电压有关d.栅源电压无关

4.场效应管靠__________导电。

a.一种载流子b.两种载流子c.电子d.空穴

5.增强型PMOS管的开启电压__________。

a.大于零b.小于零c.等于零d.或大于零或小于零

6.增强型NMOS管的开启电压__________。

a.大于零b.小于零c.等于零d.或大于零或小于零

7.只有__________场效应管才能采取自偏压电路。

a.增强型b.耗尽型c.结型d.增强型和耗尽型

8.分压式电路中的栅极电阻RG一般阻值很大，目的是__________。

a.设置合适的静态工作点b.减小栅极电流

c.提高电路的电压放大倍数d.提高电路的输入电阻

9.源极跟随器（共漏极放大器）的输出电阻与___________有关。

a.管子跨导gmb.源极电阻RSc.管子跨导gm和源极电阻RS

10.某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自漏极流出，大小为8mA，则该管是_______。

a.P沟道结型管b.N沟道结型管

c.增强型PMOS管d.耗尽型PMOS管

e.增强型NMOS管f.耗尽型NMOS管

解答：

1.b2.b3.b,c4.a5.b6.a7.b,c8.d9.c10.d

4-2已知题4-2图所示中各场效应管工作在恒流区，请将管子类型、电源VDD的极性（+、-）、uGS的极性（0，≥0，0，≤0,任意）分别填写在表格中。

解：

图号

项目

（a）

(b)

(c)

(d)

(e)

(f)

沟道类型

N

P

N

N

P

P

增强型或耗尽型

结型

结型

增强型

耗尽型

增强型

耗尽型

电源VD极性

＋

－

＋

＋

－

－

UGS极性

≤0

≥0

0

任意

0

任意

4-3试分析如题4-3图所示各电路能否正常放大，并说明理由。

解：

(a)不能。

VT是一个N沟道JFET，要求偏置电压UGS满足UGS,offUGS0，而电路中VT的偏置电压UGS0，因此不能进行正常放大。

(b)能。

VT是一个P沟道JFET，要求偏置电压UGS满足0UGSUGS,off，而电路中VT的偏置电压UGS0，只要在0UGSUGS,off范围内就能进行正常放大。

（c）能。

VT是一个N沟道MOSFET，要求偏置电压UGS满足UGSUGS,off0。电路中UGS0，如果满足UGSUGS,off就可以正常放大。

（d）不能。

虽然MOSFET的漏极D和源极S可以颠倒使用，但是此时衬底的接法也需要调整。虽然电路中自给偏置电压UGS0，也可能满足UGSUGS,off0。但是D极和衬底B之间的PN结正向导通，因此电路不能进行信号放大。

（e）不能

VT是一个N沟道增强型MOSFET，开启电压Uon0，要求直流偏置电压UGSUon，电路中UGS=0，因此不能进行正常放大。

（f）能。

VT是一个P沟道耗尽型MOSFET，夹断电压UGS,off0，放大时要求偏置电压UGS满足UGSUGS,off。电路中UGS0，如果满足UGSUGS,off就可以正常放大。

4-4电路如题4-4图所示，VDD=24V，所用场效应管为N沟道耗尽型，其参数IDSS=0.9mA，UGS,off=-4V，跨导gm=1.5mA/V。电路参数RG1=200kΩ,RG2=64kΩ,RG=1MΩ,RD=RS=RL=10kΩ。试求：

1．静态工作点。

2．电压放大倍数。

3．输入电阻和输出电阻。

解：

静态工作点的计算

在UGS,off≤UGS≤0时，

解上面两个联立方程组，得

漏源电压为

2．电压放大倍数

3．输入电阻和输出电阻。

输入电阻

输出电阻

4-5电路如题4-5图所示，