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基于噪声的金属互连电迁移表征方法：原理、应用与展望

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代电子技术的飞速发展，芯片作为电子产品的核心部件，其性能和可靠性对于整个电子系统至关重要。在芯片制造中，金属互连是连接各个晶体管和电子元件的关键部分，确保了电子信号在芯片内部的有效传输。然而，金属互连电迁移现象成为了制约芯片可靠性提升的重要因素之一。

电迁移是指在高电流密度下，金属原子会沿着电流方向移动，时间一长就会导致金属连线的结构损坏，引发线路短路，从而导致芯片失效。当金属互连薄膜的截面积越来越小，其承受的功率密度急剧增加，电迁移现象愈发显著。如在先进的芯片制程中，当制程尺寸缩小到7纳米及以下时，电流密度增大，电迁移对金属互连线路的影响加剧，不仅可能导致金属互连线路的性能衰退，还会严重影响芯片的寿命和可靠性。

传统的金属互连电迁移表征方法在应对当前复杂的芯片制造工艺和对可靠性的高要求时，表现出了一定的局限性。中期失效时间（MTTF）方法虽能通过统计学原理同时测定大量样品，但却无法通过失效机制对个别样品进行表征；原位检测方法虽然直观明了，但需对测试样品进行特殊的处理或制备，难以如实反映实际电路工作状态下的电迁移失效；阻抗测试方法简单易行，能有效反映空洞成核的发生，却对电迁移早期损伤与潜在损伤并不敏感。

基于噪声的金属互连电迁移表征方法作为一种新型的研究方向，具有诸多优势。噪声测试是非破坏性的，不会对样品造成不可逆的损伤，这使得在对珍贵的芯片样品进行测试时具有重要意义；其具有高的灵敏性，能够检测到电迁移早期的细微变化，对电迁移早期损伤与潜在损伤能够有效捕捉；测试方法简单，不要求昂贵的测试仪器，降低了测试成本和技术门槛；建立噪声模型的步骤相对简单，便于推广和应用。

研究基于噪声的金属互连电迁移表征方法，能够为芯片制造过程中的质量控制和可靠性评估提供新的技术手段和理论依据。通过对金属互连电迁移过程中噪声信号的监测和分析，可以更准确地预测芯片的寿命和可靠性，及时发现潜在的问题，从而优化芯片设计和制造工艺，提高芯片的性能和可靠性，降低生产成本。这对于推动电子设备向小型化、高性能化发展，满足5G、人工智能、物联网等新兴技术对芯片的需求具有重要的现实意义。

1.2国内外研究现状

在金属互连电迁移表征领域，基于噪声的研究近年来受到了广泛关注，国内外学者在多个关键方面展开了深入探索。

在噪声测试系统方面，传统的噪声测试系统在面对电迁移低阻样品测试时存在明显不足。国内有研究团队针对这一问题，提出了电迁移低阻样品双放大器串联噪声测试系统。该系统的一级放大采用超低噪声前置放大器，凭借其良好的频率响应特性，能够确保采集到幅度较小的样品噪声，且低频段不产生畸变；二级放大器则具备良好的放大增益，可准确采集样品噪声。通过放大器串联的形式，使得系统总背景噪声幅值与一级放大器背景噪声相当，有效降低了背景噪声对样品噪声的干扰，为低阻样品的噪声测试提供了更可靠的解决方案。

噪声模型建立也是研究的重点方向。国外学者较早关注到电迁移噪声与电迁移主导缺陷—晶界的相互关系，随着电迁移过程的推进，晶界噪声逐渐占据主导地位。国内研究人员在此基础上深入研究，将晶界等效为二维散射平面，并借助自由体积概念，成功建立了晶界自由体积噪声模型。研究结果表明，电迁移噪声主要受晶界自由体积散射截面积S_{v}(f)、晶界宽度\delta、单位面积自由体积膨胀\DeltaV/A等参数影响。此外，参考晶界电子风力增强因子表达式，提出晶界噪声增强因子的概念并给出表达式，计算显示晶界处的噪声增强相较于电子风力增大更为显著，达到4个数量级，充分体现了噪声参量的高灵敏度，为深入理解电迁移噪声机制提供了有力的理论模型。

在噪声参量分析上，国内外研究均取得了丰硕成果。通过设计电迁移老化实验并进行噪声测试，对测试结果进行频谱分析发现，频谱幅值在电迁移前期常常呈现震荡增大趋势，在空洞成核时刻会产生跳变，之后随着空洞的生长，信号可能出现低频段衰减畸变；频率指数在空洞成核前通常在0.8-1.5的范围内缓慢增大（或震荡增大），而在空洞成核时期则会突变至1.5以上。同时，频谱参量对于外部应力如温度、电流密度的变化也表现出极高的敏感性，这些研究成果为利用噪声参量监测电迁移过程提供了重要依据。

在实际应用案例方面，部分芯片制造企业开始尝试将基于噪声的电迁移表征方法应用于芯片生产过程中的质量检测。通过对金属互连噪声信号的实时监测，能够在早期发现潜在的电迁移问题，及时调整生产工艺，有效提高了芯片的良品率和可靠性。但目前该方法在实际应用中仍面临一些挑战，例如不同芯片制造工艺和材料体系下，噪声模型的通用性有待进一步提高，噪声信号的准确解读和分析还需要更完善的算法和技术支持等。

尽管国内外在基于