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2025年材料性能表征技术（XRD、SEM、TEM）习题库
一、单项选择题（每题1分，共30题）
1.XRD分析中，用于确定晶体结构的关键信息是（）
A.衍射峰强度B.衍射峰位置C.衍射峰宽度D.以上都不对
2.SEM成像利用的是（）
A.背散射电子B.二次电子C.两者都有D.透射电子
3.TEM的分辨率通常比SEM（）
A.低B.高C.一样D.不确定
4.XRD图谱中，衍射峰的强度主要取决于（）
A.晶体的取向B.晶体的含量C.仪器的设置D.以上都有关
5.SEM可以观察到材料的（）
A.微观形貌B.晶体结构C.化学成分D.内部缺陷
6.TEM样品的厚度一般要求在（）
A.几微米B.几十纳米C.几毫米D.无所谓
7.在XRD分析中，布拉格方程2dsinθ=nλ中，d代表（）
A.晶面间距B.波长C.衍射角D.衍射级数
8.SEM中，二次电子像的衬度主要反映（）
A.表面形貌B.原子序数差异C.电位差D.内部结构
9.TEM能够分析材料的（）
A.微观结构B.表面形貌C.化学成分D.以上都能
10.XRD图谱中，峰的半高宽与（）有关
A.晶体的粒径B.晶体的含量C.晶体的结构D.仪器的分辨率
11.SEM中，背散射电子像主要反映（）
A.表面形貌B.原子序数差异C.电位差D.内部结构
12.TEM成像时，物镜光阑主要用于选择（）
A.透射电子B.散射电子C.二次电子D.背散射电子
13.XRD卡片中包含的信息不包括（）
A.晶体结构B.晶面间距C.材料的颜色D.衍射峰强度
14.SEM中，为了获得清晰的图像，样品表面需要（）
A.平整B.导电C.干燥D.以上都需要
15.TEM分析中，选区电子衍射（SAED）用于确定（）
A.晶体结构B.化学成分C.表面形貌D.内部应力
16.XRD分析中，粉末样品的粒度一般要求在（）
A.几毫米B.几十微米C.几纳米D.无所谓
17.SEM中，增加加速电压会使图像的（）
A.分辨率提高B.景深增大C.衬度降低D.以上都不对
18.TEM中，高分辨透射电子显微镜（HRTEM）主要用于观察（）
A.晶体的晶格结构B.材料的表面形貌C.材料的化学成分D.内部缺陷
19.XRD图谱中，峰的位置偏移可能是由于（）
A.晶格畸变B.晶体含量变化C.仪器误差D.以上都有可能
20.SEM中，二次电子的能量范围一般在（）
A.0-50eVB.50-100eVC.100-500eVD.500-1000eV
21.TEM中，电子能量损失谱（EELS）可以分析材料的（）
A.化学成分B.晶体结构C.表面形貌D.内部应力
22.XRD分析中，扫描速度过快会导致（）
A.峰的强度降低B.峰的位置偏移C.峰的半高宽增大D.无法得到图谱
23.SEM中，样品的倾斜角度会影响（）
A.二次电子像的衬度B.背散射电子像的衬度C.图像的分辨率D.以上都有影响
24.TEM中，为了提高分辨率，需要（）
A.增加加速电压B.减小物镜光阑孔径C.优化样品制备D.以上都需要
25.XRD图谱中，峰的强度与晶体的（）有关
A.取向分布B.晶体结构C.化学成分D.以上都有关
26.SEM中，环境扫描电子显微镜（ESEM）可以观察（）
A.不导电样品B.含水样品C.高温样品D.以上都可以
27.TEM中，扫描透射电子显微镜（STEM）结合了（）的功能
A.SEM和TEMB.XRD和SEMC.XRD和TEMD.以上都不对
28.XRD分析中，标准图谱的作用是（）
A.确定晶体结构B.校准仪器C.对比分析D.以上都对
29.SEM中，电子束与样品相互作用产生的信号不包括（）
A.俄歇电子B.特征X射线C.荧光D.红外线
30.TEM中，样品制备过程中常用的减薄方法不包括（）
A.机械研磨B.离子减薄C.化学腐蚀D.高温加热
二、多项选择题（每题2分，共20题）
1.XRD可以用于分析材料的（）
A.晶体结构B.晶体取向C.晶格参数D.材料的纯度
2.SEM的主要组成部分包括（）
A.电子枪B.扫描系统C.信号检测系统D.样品室
3.TEM能够提供的信息有（）
A.微观结构B.晶体缺陷C.化学成分D.表面粗糙度
4.在XRD实验中，可能影响结果的因素有（）
A.样品的制备方法B.仪器的稳定性C.扫描范围D.扫描速度
5.SEM成像中，提高分辨率的方法有（）
A.减小电子束斑尺寸B.增加加速电压C.优化信号检测D.提高样品的导电性
6.TEM样品制备的要求包括（）
A.样品厚度足够薄B.样品结构保持完整C.无表面损伤D.具有代表性
7.XRD图谱解析的步骤包括（）
A.确定衍射峰位置B.计算晶面间距C.检索标准卡片D.分析晶体结构
8.SEM中，二次电子像和背散射电子像的区别在于（）
A.成像原理B.衬度机制C.分辨率D.对样品的要求
9.TEM中
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