第5章 半导体二极管及其应用.pptVIP

5.2.2二极管的参数(1)最大整流电流IF+iDvD-R第30页，共69页，星期日，2025年，2月5日5.2.2二极管的参数(2)反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRMVRM=0.5VBR为了保证二极管安全工作：(3)反向饱和电流IS第31页，共69页，星期日，2025年，2月5日5.2.2二极管的参数(4)正向压降VF（硅二极管典型值）（锗二极管典型值）导通压降：PN结的伏安特性+iDvD-R第32页，共69页，星期日，2025年，2月5日5.2.2二极管的参数(5)极间电容CB或最高工作频率C的阻抗＝1/(ωC)第33页，共69页，星期日，2025年，2月5日5.2.2二极管的等效电路(1)理想二极管等效电路(2)考虑正向压降的等效电路忽略二极管的正向压降和反向电流考虑二极管的正向压降，硅管：UD（ON）=0.7V锗管：UD（ON）=0.3V第34页，共69页，星期日，2025年，2月5日例二极管门电路如图所示，A、B为输入端，F为输出端，根据输入信号波形分析各二极管的工作状态，并该电路的输出波形第35页，共69页，星期日，2025年，2月5日半导体二极管图片第36页，共69页，星期日，2025年，2月5日第37页，共69页，星期日，2025年，2月5日{end}第38页，共69页，星期日，2025年，2月5日补充知识二极管基本电路及其分析方法1二极管V-I特性的建模2应用举例第39页，共69页，星期日，2025年，2月5日PN结的伏安特性iD=(VDD-vDD)/RPN结的伏安特性VDD第40页，共69页，星期日，2025年，2月5日1二极管V-I特性的建模1.理想模型3.折线模型2.恒压降模型k阴极阳极a第41页，共69页，星期日，2025年，2月5日1二极管V-I特性的建模1.理想模型第42页，共69页，星期日，2025年，2月5日1二极管V-I特性的建模2.恒压降模型（硅二极管典型值）（锗二极管典型值）导通压降：第43页，共69页，星期日，2025年，2月5日4.小信号模型(感兴趣自学）二极管工作在正向特性的某一小范围内时，其正向特性可以等效成一个微变电阻。即根据得Q点处的微变电导则常温下（T=300K）1二极管V-I特性的建模第44页，共69页，星期日，2025年，2月5日2应用举例1.二极管的静态工作情况分析理想模型（R=10k?）（1）VDD=10V时恒压模型（2）VDD=1V时理想模型恒压模型结论：当VI≥10Von时，用理想模型。当VI接近Von时，用恒压降模型。第45页，共69页，星期日，2025年，2月5日例2.4.2提示2应用举例2.限幅电路第46页，共69页，星期日，2025年，2月5日5.3单相整流滤波电路5.3.1单相半波整流电路5.3.2单相桥式整流电路5.3.3滤波电路第47页，共69页，星期日，2025年，2月5日1.单相半波整流电路1）电路的组成及工作原理图所示为单相半波整流电路。由于流过负载的电流和加在负载两端的电压只有半个周期的正弦波,故称半波整流。5.3.1单相半波整流电路第48页，共69页，星期日，2025年，2月5日直流电压是指一个周期内脉动电压的平均值。即2）负载上的直流电压和直流电流流过负载RL上的直流电流为第49页，共69页，星期日，2025年，2月5日第1页，共69页，星期日，2025年，2月5日5.1半导体的基本知识5.1.1半导体材料5.1.2本征半导体5.1.3杂质半导体半导体的导电机制5.1.4PN结的形成及特性第2页，共69页，星期日，2025年，2月5日5.1.1半导体材料根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。半导体有温敏、光敏和掺杂等导电特性。第3页，共69页，星期日，2025年，2月5日5.1.2本征半导体硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构1、半导体的共价键结构第4页，共69页，星期日，2025年，2月5日5.1.2本征半导体本征半导体——化学成分纯净的半导体。它