第1章 半导体材料及二极管 .pptVIP

第1章半导体材料及二极管第1页，共24页，星期日，2025年，2月5日第一章

半导体材料及二极管第2页，共24页，星期日，2025年，2月5日概述半导体：导电性能介于导体与绝缘体之间的物体半导体材料：Si和GePN结二极管形成过程伏安特性应用电路几种特殊的二极管第3页，共24页，星期日，2025年，2月5日1.1半导体材料及其特性半导体材料：Ⅳ族元素硅（Si）、锗（Ge）III-V族元素的化合物砷化嫁（GaAs）等。☆导电性能会随温度、光照或掺入某些杂质而发生显著变化。本征半导体杂质半导体第4页，共24页，星期日，2025年，2月5日1.1.1本征半导体本征半导体－纯净的具有晶体结构的半导体。晶格－在本征Si和Ge的单晶中，原子在空间形成排列整齐的空间点阵。共价键结构本征激发本征半导体中的两种载流子本征浓度第5页，共24页，星期日，2025年，2月5日1.共价键结构共价键图1.1单晶Si和Ge的共价键结构示意图第6页，共24页，星期日，2025年，2月5日2.本征激发自由电子空穴原子因失去一个价电子而带正电，这个带正电的“空位”叫空穴。本征激发半导体在外界）热或光或其他）激发下，产生自由电子空穴对的现象。图1.2本征激发示意图第7页，共24页，星期日，2025年，2月5日3.本征半导体中的两种载流子运载电荷的粒子称为载流子。导体导电只有一种载流子，即自由电子导电。图1.3电子与空穴的运动第8页，共24页，星期日，2025年，2月5日空穴导电：当有电场作用时，价电子定向填补空位，使空位作相反方向的移动，这与带正电荷的粒子作定向运动的效果完全相同。为了区别于自由电子的运动，我们就把价电子的运动虚拟为空穴运动（方向相反），认为空穴是一种带正电荷的载流子。第9页，共24页，星期日，2025年，2月5日4.本征浓度载流子复合：自由电子与空穴在热运动中相遇，使自由电子空穴对消失的现象。载流子的动态平衡：在一定温度下，单位时间内本征激发所产生地自由电子空穴对的数目与复合而消失的自由电子空穴对的数目相等，就达到了载流子的动态平衡状态，使本征半导体中载流子的浓度一定。第10页，共24页，星期日，2025年，2月5日本征载流子的浓度（1.1）第11页，共24页，星期日，2025年，2月5日1.2.2杂质半导体杂质半导体掺入杂质的半导体称为杂质半导体。N型半导体P型半导体杂质半导体的载流子浓度第12页，共24页，星期日，2025年，2月5日1.N型半导体掺入少量的Ⅴ族元素（如磷、砷、锑等）后，形成的杂质半导体称为N型半导体。多出一个价电子只能位于共价键之外，成为“自由电子”。图1.4N型半导体原子结构示意图第13页，共24页，星期日，2025年，2月5日施主原子：杂质原子施主离子：不能自由移动不能参与导电。多数载流子（多子）：自由电子。少数载流子（少子）：空穴。整体呈电中性第14页，共24页，星期日，2025年，2月5日2.P型半导体掺入少量Ⅲ族元素（如绷、铝和铟等）后形成的杂质半导体称为P型半导体。共价键因缺少一个价电子而出现一个“空位”。图1.5P型半导体原子结构示意图第15页，共24页，星期日，2025年，2月5日受主原子：杂质原子受主离子：不能自由移动不能参与导电。多数载流子（多子）：空穴。少数载流子（少子）：自由电子。整体呈电中性第16页，共24页，星期日，2025年，2月5日3.杂质半导体的载流子浓度热平衡条件下自由电子的浓度热平衡条件下空穴的浓度本征浓度（1.2）第17页，共24页，星期日，2025年，2月5日