半导体二极管及其基本电路.pptVIP

1理想二极管模型特性uDiD符号及等效模型SS正偏导通，uD=0；反偏截止，iD=0U(BR)=?1.2.6半导体二极管的模型第30页，共67页，星期日，2025年，2月5日uD=UD(on)0.7V(Si)0.2V(Ge)2二极管的恒压源模型第31页，共67页，星期日，2025年，2月5日3.二极管的折线模型第32页，共67页，星期日，2025年，2月5日4二极管的交流小信号模型图解法第33页，共67页，星期日，2025年，2月5日【例1-1】电路如图1-15所示，VD为硅二极管，R=2k?，求出VDD=2V和VDD=10V时IO和UO的值。解:当VDD=2V时采用恒压源模型进行分析UO=VDD﹣Uon=2V﹣0.7V=1.3VIO=UO/R=1.3V/2k?=0.65mA当VDD=10V时采用理想二极管模型分析UO=VDD=10VIO=UO/R=10V/2k?=5mA第34页，共67页，星期日，2025年，2月5日1.3半导体二极管的应用二极管在电路中有着广泛的应用，利用它的单向导电性，可组成整流、限幅、检波电路，还可做元件保护以及在数字电路中作为开关元件等。1.3.1二极管在限幅电路中的应用限幅电路分为串联限幅电路、并联限幅电路、并联限幅电路和双向限幅电路三种?。第35页，共67页，星期日，2025年，2月5日1.串联限幅电路uD=ui﹣E当uD≥Uon即ui?E+Uon时VD正偏导通uD=Uonuo=ui﹣Uon工作原理输出波形第36页，共67页，星期日，2025年，2月5日1.串联限幅电路uD=ui﹣E当uD?Uon即uiE+Uon时VD截止流过二极管的电流为零uo=E输出波形第37页，共67页，星期日，2025年，2月5日传输特性（或限幅特性）uo=f(ui)输出波形第38页，共67页，星期日，2025年，2月5日第39页，共67页，星期日，2025年，2月5日2.并联限幅电路第40页，共67页，星期日，2025年，2月5日3.双向限幅电路第41页，共67页，星期日，2025年，2月5日1.3.2二极管在整流电路中的应用1.单相半波整流电路第42页，共67页，星期日，2025年，2月5日2.全波整流电路第43页，共67页，星期日，2025年，2月5日Otui/V15RLV1V2V3V4uiBAuO3.桥式整流电路第44页，共67页，星期日，2025年，2月5日OtuO/V15若有条件，可切换到EWB环境观察桥式整流波形。第45页，共67页，星期日，2025年，2月5日1.4特殊二极管1.4.1稳压二极管1.4.2发光二极管1.4.3光电二极管1.4.4变容二极管第46页，共67页，星期日，2025年，2月5日1.5.1稳压二极管一、伏安特性符号工作条件：反向击穿iZ/mAuZ/VO?UZ?IZmin?IZmax?UZ?IZ?IZ特性第47页，共67页，星期日，2025年，2月5日模拟电子技术半导体二极管及其基本电路第1页，共67页，星期日，2025年，2月5日1.1半导体的基础知识1.1.1本征半导体1.1.2杂质半导体1.1.3PN结及其特性第2页，共67页，星期日，2025年，2月5日半导体的特点1.热敏性：半导体的导电能力与温度有关利用该特性可做成热敏电阻2.光敏性：半导体的导电能力与光的照射有关系利用该特性可做成光敏电阻3.掺杂性：掺如有用的杂质可以改变半导体的导电能力利用该特性可做成半导体器件第3页，共67页，星期日，2025年，2月5日1.1.1本征半导体半导体—导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。本征半导体—纯净的半导体。如硅、锗单晶体。第4页，共67页，星期日，2025年，2月5日硅(锗)的原子结构简化模型惯性核价电子(束缚电子)1、半导体的原子结构第5页，共67页，星期日，2025年，2月5日2、本征半导体的晶体结构硅(锗)的共价键结构共价键—相邻原子共有价电子所形成的束缚。第6页，共67页，星期日，2025年，2月5日3、本征半导体的导电情况自由电子空穴空穴空穴可在共价键内移动当温度为绝对零度以下时，该结构为绝缘体在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共价键的束缚成为自由