霍尔式传感器原理及应用.ppt

第五节其他类型传感器一、霍尔传感器第1页，共16页，星期日，2025年，2月5日带电粒子在磁场中的运动会受到洛伦兹力FL的作用洛伦兹力FL的方向由左手定则决定洛伦兹力的作用结果，使带电粒子偏向c，d电极在垂直于B和I的方向上产生一感应电动势VH该现象称为霍尔效应，所产生的电动势VH称为霍尔电势1.基本原理厚度为d的N型半导体薄片上垂直作用了磁感应强度为B的磁场若在一个方向上通以电流IN型半导体中多数载流子为电子——它沿与电流的相反方向运动第2页，共16页，星期日，2025年，2月5日第3页，共16页，星期日，2025年，2月5日霍尔电势VH的大小由下式决定：(3-48)式中KH——霍尔常数，表示单位磁感应强度和单位控制电流下所得的开路霍尔电势，取决于材质、元件尺寸，并受温度变化影响；α——电流方向与磁场方向夹角，如两者垂直，则sinα＝1。纯金属中自由电子浓度过高，霍尔效应微弱，无实用价值半导体是霍尔元件的常用材料材料的厚度d愈小，则KH就愈大、灵敏度愈高第4页，共16页，星期日，2025年，2月5日2.霍尔传感器的应用片芯是一块矩形半导体薄片一般采用N形锗、锑化铟、砷化铟、砷化镓和磷砷化铟等长边两侧面焊有两根控制电流极引线，短边两侧面的中点焊以两导线输出霍尔电势霍尔芯片一般用非磁性金属、陶瓷或环氧树脂封装(3-48)式(3-48)可知，改变I或B，或两者同时改变均会引起VH的变化利用该原理可以做成各种传感元件霍尔传感器的结构第5页，共16页，星期日，2025年，2月5日在磁场和控制电流的作用下，输出端有电压输出使用时，I和B都可作为输入信号，输出信号正比于两者的乘积建立霍尔电势所需的时间极短(10-12~10-14)所测外界信号频率可以很高(3-48)霍尔元件的基本电路R为调节电阻，调节控制电流的大小VH两端为霍尔电势输出端第6页，共16页，星期日，2025年，2月5日霍尔元件可制成位移传感器霍尔元件置于两相反方向的磁场中在a、b两端通入控制电流i左半产生的霍尔电势VH1和右半产生的霍尔电势VH2方向相反c，d两端输出电压是VH1-VH2，若使初始位置时VH1=VH2，则输出电压为零。当霍尔元件相对于磁极作x方向位移时，可得到输出电压VH=VH1-VH2，且ΔVH数值正比于位移量Δx，正负方向取决于位移Δx的方向霍尔元件传感器既能测量位移的大小，又能鉴别位移的方向第7页，共16页，星期日，2025年，2月5日霍尔元件在静止状态下具有感受磁场的独特能力霍尔元件的特点：结构简单可靠体积小噪声低动态范围大(输出电压变化范围可达1000:1)频率范围宽(从直流到微波频段)寿命长价格低第8页，共16页，星期日，2025年，2月5日可以广泛应用于测量：位移可转化为位移的力和加速度磁场变化应用中不用永久磁铁产生的磁场，而是用一个可变电流作激磁的可变磁场，输出电压就决定于控制电流和激磁电流的乘积——霍尔元件就成了一种两个模拟信号的乘法器第9页，共16页，星期日，2025年，2月5日第10页，共16页，星期日，2025年，2月5日第11页，共16页，星期日，2025年，2月5日第12页，共16页，星期日，2025年，2月5日第五节其他类型传感器一、霍尔传感器