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(2025年)半导体芯片制造中、高级工考试题(含答案)

一、选择题（每题2分，共40分）

1.以下哪种光刻技术分辨率最高？（）

A.紫外光刻

B.深紫外光刻

C.极紫外光刻

D.电子束光刻

答案：C。极紫外光刻（EUV）使用极短波长的极紫外光，其波长比紫外光刻和深紫外光刻更短，能够实现更高的分辨率，电子束光刻虽然分辨率也很高，但不是大规模生产中的主流光刻技术，在大规模芯片制造中极紫外光刻是目前分辨率最高且广泛研究应用的光刻技术。

2.在化学机械抛光（CMP）工艺中，以下哪种物质通常作为磨料？（）

A.二氧化硅

B.氢氧化钠

C.过氧化氢

D.柠檬酸

答案：A。二氧化硅是化学机械抛光工艺中常用的磨料，它具有合适的硬度和化学稳定性，能够在抛光过程中有效去除材料表面的物质。氢氧化钠是碱性试剂，过氧化氢是氧化剂，柠檬酸是络合剂，它们都不是磨料。

3.以下哪种掺杂方法可以实现最精确的杂质浓度控制？（）

A.热扩散

B.离子注入

C.化学气相沉积

D.物理气相沉积

答案：B。离子注入可以精确控制注入离子的能量、剂量和角度，从而实现对杂质浓度和分布的精确控制。热扩散难以精确控制杂质的分布和浓度。化学气相沉积和物理气相沉积主要用于薄膜沉积，并非专门的掺杂方法。

4.半导体芯片制造中，以下哪种气体用于等离子体刻蚀硅材料？（）

A.氯气

B.氧气

C.氮气

D.氢气

答案：A。氯气在等离子体刻蚀硅材料的过程中，能与硅发生化学反应，形成挥发性的化合物，从而实现对硅的刻蚀。氧气主要用于刻蚀有机物或进行氧化工艺，氮气常用于保护气体或作为载气，氢气一般用于还原气氛或某些特殊的工艺中。

5.以下哪种材料常用于半导体芯片的栅极材料？（）

A.多晶硅

B.铝

C.铜

D.金

答案：A。多晶硅具有良好的导电性和热稳定性，且易于加工，是半导体芯片中常用的栅极材料。铝、铜主要用于金属互连，金虽然导电性好，但成本高且与半导体材料的兼容性等方面存在一些问题，一般不用于栅极。

6.光刻工艺中，光刻胶的作用是（）

A.保护硅片表面

B.作为刻蚀掩膜

C.增加芯片的导电性

D.提高芯片的散热性能

答案：B。光刻胶在光刻工艺中，经过曝光和显影后，会在硅片表面形成特定的图案，这个图案可以作为后续刻蚀或掺杂等工艺的掩膜，保护不需要处理的区域。它不能增加芯片的导电性和提高散热性能，虽然在一定程度上可以保护硅片表面，但主要作用是作为刻蚀掩膜。

7.以下哪种设备用于检测芯片中的缺陷？（）

A.光刻机

B.电子显微镜

C.化学机械抛光机

D.离子注入机

答案：B。电子显微镜可以提供高分辨率的图像，能够检测芯片表面的微观缺陷，如裂纹、杂质等。光刻机用于光刻图案的转移，化学机械抛光机用于芯片表面的平坦化，离子注入机用于杂质的注入，它们都不用于缺陷检测。

8.在半导体芯片制造的清洗工艺中，常用的RCA清洗液由以下哪几种成分组成？（）

A.氨水、过氧化氢、水

B.盐酸、过氧化氢、水

C.硫酸、过氧化氢、水

D.以上都是

答案：D。RCA清洗液有三种主要配方，分别是SC-1（氨水+过氧化氢+水）用于去除颗粒和有机杂质，SC-2（盐酸+过氧化氢+水）用于去除金属杂质，还有用硫酸和过氧化氢组成的溶液用于去除有机物。

9.以下哪种封装形式引脚数最多？（）

A.DIP（双列直插式封装）

B.QFP（四方扁平封装）

C.BGA（球栅阵列封装）

D.SOP（小外形封装）

答案：C。BGA封装通过在芯片底部排列大量的焊球作为引脚，能够提供比DIP、QFP和SOP更多的引脚数量，以满足高集成度芯片的电气连接需求。

10.半导体芯片制造中，外延生长是指（）

A.在硅片表面生长一层与衬底晶格结构相同的单晶层

B.在硅片表面生长一层多晶层

C.在硅片表面生长一层非晶层

D.在硅片表面生长一层金属层

答案：A。外延生长是在硅片衬底上生长一层与衬底晶格结构相同的单晶层，这种单晶层可以具有不同的掺杂浓度等特性，用于制造不同功能的半导体器件。不是生长多晶层、非晶层或金属层。

11.以下哪种光刻胶是正性光刻胶？（）

A.曝光部分在显影液中溶解

B.未曝光部分在显影液中溶解

C.曝光和未曝光部分在显影液中都不溶解

D.曝光和未曝光部分在显影液中都溶解

答案：A。正性光刻胶在曝光后，曝光部分的光刻胶分子结构发生变化，在显影液中溶解，而未曝光部分则保留，形成与掩膜版图案相反的光刻胶图案。

12.化学气相沉积（CVD）工艺中，以下哪种气体可以用于沉积二氧化硅薄膜？（）

A.硅烷（SiH?）和氧气（O?）

B.甲烷（CH?）和氢