具有二维层状结构的硫族化合物SnSe材料水热制备和忆阻性能研究.pdfVIP

摘要

在当前的信息时代，人们对于信息处理和存储的需求与日俱增，基于传统冯·诺

伊曼架构的计算机架构和浮栅结构的存储器已经越来越难以满足人们的需求。忆阻器

作为一种具有新型结构、能够实现存算一体的新器件越来越引起人们的重视，受到了

广泛的关注。目前忆阻器的忆阻介质层材料和制备方式都是研究热点之一。本文聚焦

于新型的具有二维层状结构的硫族化合物SnSe，详细研究了水热法在ITO上生长

SnSe薄膜的工艺条件，而且采用一步水热的绿色新方式制备了Au/SnSe/ITO结构的

忆阻器。

首先采用正交实验的方法用16组正交实验和极差分析的方法，结合XRD，Raman，

SEM的表征手段和晶粒尺寸及位错密度的计算，详细探究并分别得出了晶态和非晶

态SnSe薄膜的优化工艺参数。对于晶态SnSe薄膜其水热制备的优化工艺参数为：反

应温度190℃，反应时间15h，配置前驱体时添加的NaOH质量2g，反应物摩尔比

（SnCl·2HO：SeO）1：1。而四个因素中配置前驱体时添加的NaOH质量是水热制

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备用于忆阻器件的晶态SnSe薄膜的主要影响因素。对于非晶态薄膜来说，其优化工

艺参数为：反应温度150℃，反应时间12h，配置前驱体时添加的NaOH质量1g，

反应物摩尔比（SnCl·2HO：SeO）2：1。四个因素中配置前驱体时添加的NaOH质

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量是主要影响因素。

随后本文利用绿色的一步水热的方法分别制备了晶态和非晶态SnSe忆阻介质层

的Au/SnSe/ITO结构的称为CSM和ASM的忆阻器。其后的直流扫描中仅CSM器件

表现出忆阻性能，其反向Froming的忆阻性能不稳定，两个循环后消失，而正向

Forming不仅具有40个循环的稳定忆阻性能和耐久度，而且具有1800s内不衰退的

保持特性，证明了水热制备SnSe基忆阻器的可行性。此外CSM器件高低阻态的传

导机制被详细探究，高低阻态中均具有肖特基发射、Fowler-Nordheim隧道效应、Poole-

Frenkel发射和空间电荷限制传导四种传导机制，最后对基于Sn空位导电丝的忆阻机

理进行了分析。

关键词：二维层状硫族化合物，硒化锡，忆阻器，水热法，导电机制

ABSTRACT

Inthecurrentinformationage,thedemandforinformationprocessingandstorageis

increasingdaybyday,andthememorybasedontraditionalvonNeumannarchitectureand

floatinggatestructurehasbecomemoreandmoredifficulttomeettheneedsofpeople.

Memristor,asanewstructure,whichcanrealizetheintegrationofstorageandcalculation,

whichcanreplacethetraditionalcomputerarchitectureandmemory,hasattractedmoreand

moreattentionandhasbeenwidelystudied.Atpresent,thememristordielectriclayer

materialsandpreparationmethodsofmemristorsareoneoftheresearchhotspots.Thispaper

focusesonthenovelchalcogenideSnSewithtwo-dimensionallayeredstructure.Notonly

theoptimalprocessconditionsfor