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蓝宝石衬底上氧化镓薄膜的生长调控与退火效应研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，半导体材料在现代电子领域中扮演着举足轻重的角色。从日常使用的电子设备到高端的航空航天技术，半导体器件无处不在，其性能的优劣直接影响着相关技术的发展和应用。氧化镓（Ga_2O_3）作为一种新兴的宽禁带半导体材料，近年来受到了广泛的关注和研究。其具有一系列优异的物理性质，使其在多个领域展现出巨大的应用潜力。

氧化镓的禁带宽度高达4.9eV，这一特性使其能够承受更高的电压，大大降低了器件的导通电阻，提高了能源利用效率。在电力电子领域，基于氧化镓的功率器件可以实现更高的功率密度和效率，有望推动新能