固体与半导体物理第七章.ppt

（2）从化学键角度表面是原子周期排列终止的地方未饱和键－悬挂键纯净表面的表面态密度为实际表面的表面态密度三.表面电场效应1.表面电场（1）表面态与体内电子态之间交换电子（2）金属－半导体接触（3）MOS结构和MIS结构第29页，共59页，星期日，2025年，2月5日2.空间电荷层及表面势（1）n型P型A:电子从体内转移到表面态－表面受主态B:正空间电荷层第30页，共59页，星期日，2025年，2月5日C:表面势为D:空间电荷层能带弯曲电子势垒空穴势阱n型P型（2）n型P型第31页，共59页，星期日，2025年，2月5日A:电子从表面态转移到体内－表面施主态B:负空间电荷层C:表面势D:电子势阱空穴势垒n型P型空穴势垒电子势阱第32页，共59页，星期日，2025年，2月5日3.空间电荷层内载流子浓度的变化体内在空间电荷层内，电势能变化4.表面空间电荷层的三种基本状态（1）积累层能带从体内到表面上弯以p型为例空间电荷层的载流子浓度与体内的关系第33页，共59页，星期日，2025年，2月5日空间电荷层处于多子堆积状态－积累层（2）耗尽层能带从体内到表面下弯空间电荷层处于多子耗尽状态－耗尽层－参考能级第34页，共59页，星期日，2025年，2月5日反型层耗尽层（3）反型层{7.3金属－半导体接触n型导电性反型层耗尽层热蒸发溅射电镀（1）整流接触单向导电性（2）欧姆接触低电阻的非整流接触第35页，共59页，星期日，2025年，2月5日1.金属和半导体的功函数一.肖特基势垒功函数费米能级上的电子逸出体外所作的功－电子亲和能－真空能级功函数不同费米能级高低不一致－系统不平衡载流子流动形成空间电荷层自建场势垒系统平衡费米能级一致第36页，共59页，星期日，2025年，2月5日2.肖特基势垒高度肖特基势垒高度3.金－半接触类型决定SBD特性的重要物理参数第37页，共59页，星期日，2025年，2月5日A:金属与n型半导体接触电子势垒n型阻挡层电子势阱n型反阻挡层B:金属与p型半导体接触空穴势阱空穴势垒P型反阻挡层P型阻挡层第38页，共59页，星期日，2025年，2月5日对于一定的半导体一定随金属功函数变化例：理论计算：实际测试：？许多半导体形成阻挡层不管还是？表面态的存在二.巴丁模型P型反阻挡层P型阻挡层第39页，共59页，星期日，2025年，2月5日涉及三个子系统的平衡金属表面态半导体1.半导体与表面态接触n型：p型：n型表面受主态表面能级接受电子带负电空间电荷层带正电能带由体内到表面向上弯曲形成电子势垒第40页，共59页，星期日，2025年，2月5日2.半导体－表面态系统与金属接触流向金属的电子主要来自表面态因表面态密度比较高，能够提供足够多的电子半导体势垒区几乎不变化平衡时金属中的电子流向表面态基本保持不变第41页，共59页，星期日，2025年，2月5日3.巴丁极限对于大多数半导体表面态密度在以上平衡时费米能级位于价带上方三分之一的禁带宽度处不论n型半导体还是p型半导体与金属接触形成阻挡层三.金－半接触的整流特性阻挡层的整流作用外加电压阻挡层的平衡被破坏产生电流n型P型第42页，共59页，星期日，2025年，2月5日第1页，共59页，星期日，2025年，2月5日合金法离子注入法扩散法外延生长法1.突变结在结处杂质分布突然变化2.缓变结在结处杂质分布随距离变化第2页，共59页，星期日，2025年，2月5日(二)p－n结的空间电荷区1.空间电荷区载流子浓度不均匀产生扩散2.自建场从n区指向p区平衡时，扩散运动=漂移运动空间电荷区和自建场一定P－n结处于平衡态第3页，共59页，星期日，2025年，2月5日(三）能带图1.载流子的扩散是由于两区费米能级不一致所引起的2.平衡p-n结，具有统一的费米能级第4页，共59页，星期日，2025年，2月5日3.能带弯曲的原因自建场从n区p区电势V(x)从n区到p区电势能qV(x)从n区到p区(四)p-n结的接触电势差接触电势差－p区和n区电势之差势垒高度从载流子浓度公式如何理解？第5页，共59页，星期日，2025年，2月5日势垒区空间电荷区结区与哪些因素有关？n区平