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1总则
1.0.1为规范微组装生产线工程建设中工艺设计内容、范围、厂房设施要求及动力供应,保证微组装生产线工程建设做到技术先进、安全适用、经济合理、节能环保,制定本规范。
1.0.2本规范适用于混合集成电路组装封装工艺的微组装生产线新建、扩建和技术改造。
1.0.3微组装生产线工艺设计除应符合本规范外,尚应符合国家现行有关标准的规定。
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2术语
2.0.1微组装micro-assembling
在高密度基板上,采用表面贴装和互连工艺将构成电子电路的集成电路芯片、片式元件及各种微型元器件组装,并封装在同一外壳内,形成高密度、高速度、高可靠性的高级微电子组件。
2.0.2环氧贴装epoxydieattaching
用导电或绝缘环氧树脂胶将裸芯片和(或)片式阻容元件贴装在基板上,并通过加热固化环氧树脂实现芯片(元件)与基板间的物理连接。
2.0.3再流焊reflowsoldering
在电路板的焊盘上预涂的焊锡膏经过干燥、预热、熔化、润湿、冷却,将元器件焊接到印制板上的工艺。
2.0.4共晶焊eutecticsoldering
将二元或三元合金焊料加热到不小于其共熔温度(也即共晶温度)而熔融,并经冷却直接从液态共熔合金凝固形成固态共晶合金,实现芯片等元件的焊接的工艺。
2.0.5倒装焊flipchipbonding,FCB
一种IC裸芯片与基板直接安装的互连方法,将芯片面朝下放置,通过加热、加压、超声等方法使芯片电极或基板焊区上预先制作的凸点变形(或熔融塌陷),实现芯片电极与基板焊区间的对应互连焊接的工艺。
2.0.6引线键合wirebonding
使极细金属丝的两端分别附着在芯片、基板或外壳引脚上,从而在它们之间形成电气连接的工艺。
2.0.7平行缝焊parallelseamsealing
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借助于平行缝焊系统,由通过计算机程序控制的高频大电流脉冲使外壳底座与盖板在封装界面缝隙处产生局部高热而熔合,从而形成气密性封装的一种工艺手段。
2.0.8激光焊laserwelding
以聚焦的激光束作为能源轰击焊件所产生的热量进行焊接的工艺。
2.0.9钎焊brazewelding
采用熔点或液相线温度比母材低的填充材料(钎料),在加热温度低于母材熔点的条件下实现金属间冶金结合的工艺。
2.0.10涂覆coating
在电路板特定区域运用机械的、化学的、电化学的、物理的方法施加塑性的或非塑性的非导电薄层涂料,起环境保护和(或)机械保护作用。
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3微组装基本工艺
3.1一般规定
3.1.1微组装主要生产工艺应包括芯片和基板贴装、互连、密封工艺;辅助工艺包括真空烘焙、清洗、涂覆、测试工艺。
3.1.2微组装生产线加工工艺应根据混合集成电路、多芯片组件等微组装产品的性能指标与质量要求确定。
3.1.3微组装工艺流程设计应符合下列规定:
1微组装工艺应按温度从高逐步到低进行操作,各工艺应按共晶焊、再流焊(表面组装)、倒装焊、粘片、引线键合、密封的次序降序排列。
2半导体器件的贴装,应采取防静电措施。
3微组装工艺应符合电子元器件常规组装顺序规定:
1)先粘片后引线键合;
2)先进行内引线键合后进行外引线键合;
3)完成器件装连后应进行产品电性能测试。
4共晶焊、再流焊、表面组装、芯片倒装焊后,当有助焊剂残留时应进行清洗,芯片倒装焊后应进行下填充。
5每一种微组装工艺完成后,应完成相应的工序检验。
3.2环氧贴装
3.2.1采用环氧贴装工艺应符合下列规定:
1贴装发热量不高、对湿气含量无严格要求的中小功率器件、无引线倒装器件、片式元器件以及将基板贴装到封装外壳中时,宜采用环氧贴装工艺;
2有欧姆接触要求的器件应采用掺银或金的导电环氧胶进
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行贴装;
3无欧姆接触要求的器件宜采用绝缘环氧胶贴装;
4有散热要求的器件应采用导热环氧胶贴装。
3.2.2环氧贴装工艺的主要工序应符合下列规定:
1应按规定方法配制多组分浆料型环氧胶,环氧胶使用前应充分搅拌均匀并静置或真空除泡;环氧胶在冷冻环境下贮存时,使用前应在室温下放置,充分解冻;
2环氧贴装前待贴装件应保持洁净;
3可采用滴注点涂、丝网印刷、模板印刷等方法将环氧胶涂布在基板上元器件待安装位置,手工或采用贴装设备将环氧膜片排布在外壳底座上;
4将待安装的元器件准
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